"Импульсный блок питания на базе БП ПК"

Ни чего этот резистор не оттягивает. Он бы "оттягивал" в том случае, если бы транзисторы не закрывались отрицательным потенциалом. В этом случае, при отсутствии импульса и нулевом напряжении на базах, дольше рассасывались бы неосновные носители зарядов в базах. То есть, затягивалось бы время выключения транзистора.

Вот тут уже, чем меньше сопротивление резистора, шунтирующего базу, тем быстрее протекает этот процесс.

Но в нашем случае, при выключении, на базу подаётся отрицательное напряжение, которое форсирует процесс рассасывания и, соответственно, ускоряет закрывание транзисторов. При этом процесс открывания транзистора другого плеча вызывает увеличение напряжение на базе закрытого транзистора, и если бы оно в этот момент не было отрицательным, то запросто могло бы приоткрыть закрытый уже транзистор и создать сквозной ток.

А так уменьшение этих резисторов только увеличивает нагрузку на формирующую цепь и уменьшает напряжение полки (отрицательное напряжение на базах в паузе на нуле), что уже опасно. Оно там и так небольшое.
А ещё увеличивает длительность открывающего импульса.

Остальные параметры импульсов не изменяются.

Так что не вижу ни какого смысла уменьшать этот резистор.

DWD: Ни чего этот резистор не оттягивает.

Часть базового тока на прямом ходу, не давая транзистору войти в насыщение. Не?

DWD: Но в нашем случае, при выключении, на базу подаётся отрицательное напряжение

Тоже так думал. Но осциллограф чётко показывает - во время дедтайма на б-э -- 0В. Может, это эффект делителя - ЭПС конденсатора + резистор 2,2Ом против сопротивление базы? Хотя нет, на обмотке тоже 0. Перепроверю.

DWD: если бы оно в этот момент не было отрицательным, то запросто могло бы приоткрыть закрытый уже транзистор и создать сквозной ток.

Этому препятствует появляющееся отрицательное напряжение на базовой обмотке, а не ёмкость.

DWD: увеличивает нагрузку на формирующую цепь

Эта цепь питается от генератора тока.

DWD: А ещё увеличивает длительность открывающего импульса.

Почему? Смысла там и так мало, я просто поделился догадками.

zoog: Часть базового тока на прямом ходу, не давая транзистору войти в насыщение. Не?

Вы смеётесь?.. :)
Типовое напряжение насыщения базового перехода применяемых транзисторов меньше вольта. Так вот, даже если взять 1В, то с резистором 300Ом получим величину "оттягиваемого" тока 1В/0,3КОм=3,3мА.
Да на холостом ходу ток баз будет на порядок больше. Я уже молчу про работу под нагрузкой, когда через базы будет прокачиваться ток почти до ампера.

zoog: Но осциллограф чётко показывает - во время дедтайма на б-э -- 0В.

Не может быть такого! При нулевом напряжении на базах во время паузы транзисторы не живут. Мало того, они стреляют даже при небольшом минусе, когда емкость формирующих конденсаторов становится меньше 0,5мкФ. Минимальная рабочая ёмкость должна быть не менее 0,7мкФ.
Если у Вас ноль в рабочей схеме, то Вы просто не там или не так смотрите.

Выставьте нулевую линию осциллографа без сигнала например в центре. Потом подключите щупы между базой и эммитером. Выше нулевой линии должны быть импульсы амплитудой ~0,7В. А расти эти импульсы должны их пауз, расположенных на пару вольт ниже нулевой линии - то есть, в минусе. А импульсы противоположной полярности должны опуститься ещё больше в минус.

 zoog: Этому препятствует появляющееся отрицательное напряжение на базовой обмотке, а не ёмкость.

Нет, именно ёмкость. Без конденсатора импульсы были бы просто разнополярными. Точнее - переменными, уходящими как в плюс, так и в минус с паузой на нуле, расположеной на нулевой линии осциллографа. Именно ёмкость опускает паузу на нуле в минус. То есть, удерживая потенциал базы в минусе во время паузы на нуле.

P.S.

zoog, Вы или шутите, или вообще не представляете работу формирующей цепочки...

DWD: Вы смеётесь?.. :)

Не, пытаюсь найти логичное объяснение скорее всего полной чуши. При h21э=30 и нагрузке 100вт ток базы 20мА, а ток с обмотки - 83мА, нужен резистор в 15Ом, с которым не будет запуска на токах первички менее 0,15А. Если посчитать минимальным током первички 50мА (ХХ), то отсос тока будет работать при мощности в 30Вт. Но это всё очень ненадёжно будет, мои расуждения - это скорее несерьёзная разминка мозга.

DWD: вообще не представляете работу формирующей цепочки

У меня приоритет того, что вижу на экране, до этого думал так же, как и Вы) У Вас на базах сколько в паузе??

DWD: Не может быть такого! При нулевом напряжении на базах во время паузы транзисторы не живут.

Посмотрел, на ХХ -- -0,1..0,2В (размыто), в теории должно быть -1В (на базовой обмотке импульс +1,5В, отнимаем 0,5В на б-э). Под небольшой нагрузкой -- -0,5В, по теории д.б. -2,3В (на обмотке +3В, на б-э 0,7В). То есть скорее 0, чем то, что должно быть.

zoog: При h21э=30 и нагрузке 100вт ток базы 20мА

В даташите на 13007 приведен график зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы из которого следует, что при токе коллектора 1А ток базы не может быть меньше 50мА иначе напряжение насыщения коллектора улетает в десятки вольт.

В даташите указан коэффициент усиления 8-40 при токе коллектора 2А. Вот только "настораживает", что напряжения насыщения коллекторного перехода при этом же токе приводится при токе базы аж 0,4А, что в пересчёте даёт отношение 2А/0,4А=5. То есть, меньше минимального КУ. К чему бы это?..

При мощности 100В ток коллектора будет примерно 0,7А. При коэффициентах трансформации базовой обмотки к токовой разделительного трансформатора 4,5 ток КЗ базовой обмотки будет 0,7А/4,5=0,15А. При разомкнутых обмотках напряжение на них стремится к бесконечности. Значит, обмотки не должны висеть в воздухе и должны шунтироваться.

Первичные... Там еле-еле сможем миллиампера наскрести.

Осталось две базовых обмотки. На одной закрывающий для транзистора потенциал, значит, ток там тоже не большой. При резисторе в базе 300 Ом (оно будет как нагрузочное для обмотки) появится напряжение 0,15А*300Ом=45В. Много... Тогда делим ток между обеими базовыми обмотками: 0,15А/2*300Ом=22,5В. Тоже ерунда, так как в этом случае базовый переход превратится в стабилитрон и прощайте транзисторы...
Если принять, что напряжение не должно превышать 6В, то получим ток 6В/300Ом=20мА... Как видим, шунтирования и тут не получится.

Остаётся только одна базовая обмотка - на которой открывающий потенциал, значит это и будет ток шунтирования и ток базы подключенного к ней транзистора. А шунтирующее сопротивление ограничено сопротивлением обмотки да базовым резистором на 1-2Ом, что в сумме не превышает 2,5Ом. Вот и получается, что практически весь ток шунтируемой обмотки ПОС - это ток базы открытого транзистора - 0,15А.
При том же, шунтирующем базовый переход, резисторе 300Ом, как я считал раньше, ответвляться в него будет максимум 3мА.

Вот и спрашивается, о каком отсосе тока в этот резистор можно говорить?..

DWD: То есть, меньше минимального КУ. К чему бы это?..

К тому, что h21э - параметр активного режима, к насыщению отношения не имеющего;)

DWD: Вот и получается, что практически весь ток шунтируемой обмотки ПОС - это ток базы открытого транзистора - 0,15А.

Пардон, где-то по пути я потерял нолик( Ток в 2мА ни на что не повлияет даже на ХХ.

Кто что скажет о кристалле 13009х? Есть б/у транзисторы с площадью 15 и 10кв.мм и новые - там вообще 5. Которые 10 - могут быть настоящими на более "лучшем" техпроцессе?

Только у меня форум каждый второй раз ворует посты?

Я в этом не разбираюсь...

Знаю (сам видел), что даже в советское время одни и те же транзисторы выпускались с разными размерами кристаллов. Например, КТ801 примерно до 80-х годов имел прямоугольный кристалл 8,5х3мм, припаянный непосредственно к основанию корпуса. А после 80-х - уже квадратик размером 1х1мм, припаянный к термокомпенсатору диаметром 3мм, который уже в свою очередь припаивался к основанию того же корпуса.

В справочниках ни каких особых отличий в ТХ не обнаружено...

Что касается импортных деталей, так там, как оказалось, и перемаркировка не редкость. Так что сложно сразу сказать.

P.S.
У меня с постами всё нормально, если только сам не напартачу.