|
|
Входные (пороговые) устройства на микросхемах КМОП на примере 4069; (аналоги: К1561ЛН4, К561ЛН2 http://www.microshemca.ru/4069/; + схема внутренней организации (входа): http://microshemca.ru/img/4069-4.jpg).
Добрый день, Уважаемые колеги,
помогите осознать о чем говорит автор статьи (ссылка: http://www.rlocman.ru/shem/schematics.html?di=139373;), применительно к рисунок 4в и рисунок 5;
в абзаце цитата: ''делает более пологой зависимость от коэффициента заполнения для прямоугольных импульсов''... P.S. Небезинтересен также анализ реализации прочих входных устройств дискретных входов. |
|
|
|
Автор - радиолюбитель (индус-нищеброд), который пытается заработать на жизнь, сочиняя всякую фигню.
Ну нафига тыкать цифровой микросхемой в аналоговые цепи, чтобы послушать звук, точнее жужжание? При этом еще нужно угадать со смещением, иначе хрен что услышишь - гистерезис у цифры на входе.
Если уж подперло пожужжать - есть компараторы или любой ОУ в компараторном включении. А если не жужжать - просто усилителем включить.
А еще проще - ТОН2 через конденсатор и никаких микросхем.  Это мне живо напомнило мою молодость, когда хотел цифровую линию задержки перевести в аналоговый режим - тоже подбирал смещение, питание.. От хорошей жизни? От того, что 528БР1 видел только в справочнике... Нищебродство...
Или, еще АЦП делал на 6 инверторах - из той же серии, даже в справочники эти уродские схемы попали. Для меня история, для индуса (автора статьи) - нищебродская реальность... |
|
|
|
1. Пардон, (вот как всплыла в голове; а не на экране монитора 'схема Индуса по рисунок 4в', так и) понял напряжение смещения 'наитегрирувается' на 'Сс' и зависит от длительности импульсов (отсуда и 'зависимость от коэффициента заполнения для (входных) прямоугольных импульсов'. 2. Напомню: P.S. Небезинтересен также анализ реализации прочих входных устройств дискретных входов. С позволения, сохраню здесь некоторые ссылки по теме (для памяти):
http://arhiv.rzia.ru/rza.communityhost.ru/thread/ovr0/thread__start11thread__mid...
http://www.rza.org.ua/article/read/Diskretnie-vhodi-tsifrovih-ustroystv-tsentral...
http://www.controlvision.ru/images/stories/kadr/sch_in.png
http://nauchebe.net/img/230620111200004925.jpg |
|
|
|
3. В тему: какие должны быть параметры импульса (напряжение, длительность, энергия) для (реализации метода):
импульсного прожига оксидной пленки контактов (внешних реле и т.п.), в частности упоминаемая здесь: http://arhiv.rzia.ru/rza.communityhost.ru/thread/ovr0/thread__start11thread__mid... |
|
|
|
К вопросу по электрической очистке (импульсного прожига оксидной пленки) контактов (внешних реле и т.п.):
Напряжение: 10...20 Вольт (в зависимости от толщины оксидной пленки);
Ток: до 50 мА
Необходимая длительность (~энергия) импульса неизвестна,
(предполагаю, что необходимая длительность импульса прожига оксидной пленки контактов: менее сотен мс,
исходя из известной (мне) макс. длительности импульса дребезга контактов: до сотен мс, (период затуханя до 3 мс)). Кто может назвать необходимую длительность импульса точнее? P.P.S. При малой длительности импульса (менее десятков мс) необходимо учитывать парамметры кабеля. Для примера: кабель типа ВВГнг 4х1,5: Активное сопротивление: 13 Ом/км; Индуктивн.: 0,4 мГн/км); Емкость: ~100 нФ/км |
|
|
|
trash50: Кто может назвать необходимую длительность импульса точнее?
P.P.S. При малой длительности импульса (менее десятков мс) необходимо учитывать парамметры кабеля. Для примера: кабель типа ВВГнг 4х1,5: Активное сопротивление: 13 Ом/км; Индуктивн.: 0,4 мГн/км); Емкость: ~100 нФ/км
Интересные рассуждения. В моём представлении по загрязнению контактов и удаления с контактов окислов и других загрязнений, представляется в другом понимании. Допустим на контактах присутствуют окислы металла и органические примеси. Имеется некоторое усилие сжатия контактов. Для разрушения плёнки окислов и органических примесей, надо окислы и примеси быстро нагреть до температуры испарения, где пары загрязнений под действием избыточного давления, начнут вытеснять загрязнения из зоны контакта. При испарении микрочастиц, возможно образование новых соединений как со стороны окислов металла, так и со стороны органических примесей. Не исключено, что не образуются новые соединения, обладающие более высокой вязкостью, адгезией и температурой испарения. Всё зависит от химического состава примесей, геометрических размеров, шероховатости электродов и их состояния, т. е. электроды с высокой эрозией, более подвержены к дальнейшему загрязнению. Один интересный момент. С образованием искры в промежутке между контактами, металл электродов сильнее окисляется, т. е. убираем окисел в одном месте, в другом месте образуется новый, так что.чистить механическим способом придётся.
У Вас не указана длина кабеля, какая? Смоделировать можно на активно-реактивной нагрузке, но нужны все параметры элементов (физические и электрические), участвующие в процессе образования искры и удаления окислов из зоны контакта. "COMSOL Multiphysics" и "ANSYS" позволяют провести такое моделирование, хотя работа кропотливая, связанная с созданием точных моделей элементов контактов. При решении методом конечных элементов, зона образования искры будет исчисляться сотыми долями микрон, тогда сетка должна быть меньше самого малого элемента, соответственно, время решения уравнений увеличиться и может доходить до нескольких суток, но и результат сможете увидеть с точностью до нескольких десятков процентов от натурных испытаний. |
|
