|
|
Здравствуйте уважаемые !
Возник вот, такой вопрос и нет у меня ответа  , наставьте на путь истинный.
Итак имеем выходной каскад генератора на транзисторе IRF510, паспортная мощность транзистора 43 Вт (power dissipation 43 W),если нужен даташит пришлю. Производим измерение 32 В питание, потребляемый ток 1,5 А. Перемножаем 32*1,5 = 48 Вт потребляемой мощности, это как бы многовато, ведь паспортная всего 43 Вт. Или 43 Вт это его выходная мощность?
Тогда если кпд=55%, выходная 48*0.55 = 26,4 Вт это уже вроде красиво.... Где я ошибаюсь?
|
|
|
|
Для транзистора не существует выходной мощности. Выходная мощность бывает у законченного устройства, например у усилителя. Для транзистора же указывается рассеиваемая мощность. |
|
|
|
Power dissipation - рассеиваемая мощность! Эта та величина мощности, которая может быть рассеяна транзистором в виде тепла (ограничивается допустимой температурой нагрева кристалла) за счет неэффективных процессов преобразования энергии.
Эффективность преобразования оценивается КПД. Если КПД = 100%, то транзистор будет холодным, и вся потребляемая от источника питания мощность попадет в нагрузку. Если КПД = 80%, то 20% потребляемой от источника мощности может выделится в виде тепла на транзисторе, а 80% - в нагрузке. Значит при 43 Вт допустимой рассеиваемой мощности на данном транзисторе, в нагрузке можно получить 172 Вт! |
|
|
|
Lerik Где я ошибаюсь? Как здесь уже писали - 43 ватта - это максимальная мощность, рассеиваемая транзистором. Какое напряжение питание - никакого значения при этом не имеет. Потребление от источника питания также неважно. Важно падение напряжения на транзисторе и ток через него. Вот произведение _этих_ двух величин и даст вам мощность, рассеиваемую транзистором. Именно она не должна превышать 43W.
Вы совершенно верно посчитали _потребляемую_ мощность - 48 ватт. Это означает, что генератор _в_целом_ рассеивает столько. А где именно - это уже зависит от схемы. Наверняка большая часть рассеивается на транзисторе, но еще какая-то часть рассеивается на активных элементах, да и про нагрузку тоже забывать нельзя. |
|
|
|
И ещё : для мощных транзисторов в справочниках указывается рассеиваемая мощность с радиатором, без радиатора не более 1-2 Вт. |
|
|
|
Мощность, рассеиваемая на транзисторе, определяется как падение напряжения на транзисторе умноженное на ток через транзистор. Если эти величины не постоянные, то берется среднее значение. Допустимая рассеиваемая мощность на транзисторе напрямую связана с температурой кристала и корпуса. Поэтому нагляднее всего считать через тепловые сопротивления кристал-корпус. Например, мы знаем что макс. допустимая температура кристалла у транзистора 175 град. Тепловое сопротивление кристал-корпус 2 гр. на ватт. Значит при рассеиваемой на транзисторе мощности в 10 ватт температура кристалла будет на 20 гр. выше чем температура корпуса. Поэтому корпус транзистора мы можем теоретически нагреть до 155 гр. Запомнили эту температуру. Идем дальше. Тепловое сопротивление корпус-окр. среда для корпусов ТО-220 составляет примерно 70 гр. на ватт. Значит если мы будем корпусом рассеивать нашу мощность в 10 ватт то транзистор нагреется до 700 гр. а кристал соответственно до 720 гр. Это конечно многовато. Значит нужен радиатор. Зададимся максимальной температурой корпуса транзистора 80 градусов, соответственно температура кристала у нас будет 100 гр., что допустимо по документации на наш транзистор. Посичтаем какое должно быть тепловое сопротивление радиатор-окр. среда у нашего радиатора. 80 гр. разделим на 10 ватт получим 8 гр. на ватт. Обычно в каталогах на радиаторы указывается данная характеристика. Берем такой радиатор и имеем при 10 ваттах температуру радиатора 80 гр. Правда надо еще сделать поправку на тепл. сопротивление корпус транзистора-радиатор. При хорошем прижатии корпуса к радиатору и использовании теплопроводящих паст эта величина будет порядка 0.5 гр. на ватт. если это так, то в нашем случае корпус транзистора будет горячее радиатора на 5 гр. те 85 гр. , температура кристала будет 105 гр. Что вполне допустимо для импортных транзисторов. |
|
|
|
Ребята, спасибо ОГРОМНОЕ всем откликнувшимся!!!!
Все вроде стало стало на свои места, все я правильно понимал по сути, но в некоторых моментах все же заблуждался.
Теперь собственно почему я полез в расчеты... Повторил вот такую схему http://www.qrz.ru/schemes/contribute/amplifiers/ut2xs2.phtml только на IRF510, и встал вопрос измерить выходную мощность. Прицепил нагрузку безиндукционную 50 Ом.... и тут то все и началось. Напряжение на нагрузке 100 В (измерялось В3-38), чего быть не может, т.к. косвенными методами удалось выяснить что мощность где-то 30-50 Вт. Подскажите как в домашних условиях (не очень сложно) определить реальную выходную мощность с допустимой для меня погрешностью ну хотя бы 10%
Остался еще один не понятый мною вопрос - как оценить (контролировать) предельные параметры напряжение питания и ток потребления транзистором, т.е. какой мах ток нельзя превысить при фиксированном напряжении чтобы не сжечь транзистор? |
|
|
|
Может лучше через тройник и ламповый вольтметр? И насколько достоверна безиндуктивная нагрузка? В3-38 критичен к форме измеряемого напряжения. Полезно ещё осциллограф подключить для контроля формы напряжения. |
|
|
|
Ну В3-38 это почти "ламповый", безиндуктивная нагрузка - куча МЛТ резисторов без "канавки", соответственно форма напряжения контролировалась осциллографом, но тройник?..... не знаю, вольтметр подключался непосредственно на нагрузку.
|
|