Все о детекторном радиоприемнике
В данной теме уже не раз встречаю вопросы о свойствах диодного включения транзисторов, и пока ни одного вразумительного ответа. Попробую помочь, но для понимания потребуются знания, выходящие за рамки средней школы.
Надеюсь, всем участникам форума известно, что биполярный транзистор состоит из трёх чередующихся областей полупроводника с проводимостями p- и n-типа. Существует два типа транзисторов со структурами p-n-p и n-p-n. От каждой из трёх областей имеются омические выводы, называемые эмиттером (левая область 
, базой (средняя) и коллектором (правая область 
). Соответственно, в транзисторе имеются два электрических перехода (диода): эмиттер-база (эмиттерный переход) и база-коллектор (коллекторный переход).
Путём технологических ухищрений эмиттерный и коллекторный переходы расположены настолько близко друг к другу, что влияют один на другой, а их параметры сделаны специально неодинаковыми, чтобы обеспечить наилучшие усилительные свойства транзистору. На пути эволюции транзисторов использовалось много различных технологических приёмов их изготовления, каждый из которых придавал транзистору характерные свойства, которые могли отсутствовать у транзисторов, изготовленных по другой технологии. Поэтому пытаться объяснить различие в поведении транзисторов разных эпох в одной и той же схеме можно только зная их технологические особенности. И тем не менее общую закономерность знать полезно.
Следуя принципу действия транзистора его конструкцию стараются сделать такой, чтобы:
а) достичь наибольшего коэффициента инжекции носителей из эмиттера в базу,
б) обеспечить их наименьшие потери в базе и наиболее эффективное собирание носителей (коллектирование) областью коллектора,
в) получить, по возможности, большее рабочее напряжение на коллекторе и минимальную ёмкость коллекторного перехода.
Пункт а) обеспечивается очень высокой степенью легирования эмиттерной области по сравнению с базой. Но известно, что с увеличением степени легирования областей p-n-перехода растёт и его потенциальный барьер (напряжение "пятки" на его ВАХ) и уменьшается его толщина (растёт емкость перехода).
Пункт б) удовлетворяется путём изготовления очень тонкой базовой области и увеличения площади коллекторного перехода.
Чтобы обеспечить высокое рабочее напряжение по пункту в), область коллектора желательно слабо легировать, тогда переход получается широким и его напряжение пробоя большим. За счёт большой ширины достигается и небольшая ёмкость коллекторного перехода. Напряжение "пятки" на ВАХ коллекторного перехода получается меньше, чем у эмиттерного.
А теперь о свойствах диодного включения транзистора. Их возможно пять:
ЭК-Б - эмиттер и коллектор соединены и являются одним из выводов диода, а другим является вывод базы,
ЭБ-К - эмиттер и база соединены и являются одним из выводов диода, а другим является вывод коллектора,
БК-Э - база и коллектор соединены и являются одним из выводов диода, а другим является вывод эмиттера.
Э К-Б - вывод эмиттера свободен, а выводы коллектора и базы являются выводами диода.
К Э-Б - вывод коллектора свободен, а выводы эмиттера и базы являются выводами диода.
Первый вариант ЭК-Б является параллельным включением двух переходов. В этом случае возможен максимальный ток через диод; напряжение "пятки" на ВАХ минимальное; величина допустимого обратного напряжения минимальная и определяется, как правило, напряжением пробоя эмиттерного перехода; барьерная ёмкость диода максимальная и наибольшее время восстановления обратного сопротивления.
Второй вариант диода ЭБ-К использует только коллекторный переход, а эмиттерный закорочен. Такое включение обладает большим обратным напряжением, ограниченным напряжением пробоя коллекторного перехода; небольшой величиной "пятки" на ВАХ; небольшой барьерной ёмкостью; минимальным временем восстановления обратного сопротивления, т.к. уровень инжекции носителей из коллектора в базу невелик по причине слабого легирования коллекторной области, а так же закороченного эмиттерного перехода. В этом случае нет возможности накапливаться носителям в эмиттерной области.
В третьем варианте БК-Э используется только эмиттерный переход, который характеризуется большим напряжением "пятки" на ВАХ; малым обратным напряжением; большой ёмкостью перехода и большим временем восстановления обратного сопротивления вследствие большого коэффициента инжекции носителей из эмиттера в базу.
Четвёртый и пятый варианты обладают соответственно практически такими же статическими ВАХ, как и первый и второй, но уступают им в быстродействии по причине возможного накопления избыточных зарядов в свободных (неподключённых) областях. В этом плане последний пятый вариант наихудший.
А нагревательный элемент питаем свободной энергией 