Свежие обсуждения
Радиоприем

Линейный детектор слабых ам-сигналов

1 9 23

Что касается схемы Полякова, это транзисторный аналог, схемы сеточного детектирования, в ламповой технике. К обсуждаемому детектору, отношения никакого не имеет. На досуге, смоделирую, схемку на двух транзисторах, посмотрю, что же там, все таки происходит. Где то, платка приемника, с этим детектором, до сих пор валяется, нужно достать, и с приборами посмотреть, конкретно, что да как.

 

BBB: в результате к базе противоположного транзистора прилижено удвоенное закрывающее напряжение
А значит, применительно к схеме паралельными резисторами:

BBB: И в самом деле. Если принять сопротивление перехода в отсутствии сигнала =R, а изменение соротивлений переходов, вызванное входным сигналом =r, то общее сопротивление будет: Rоб = (R+r)*(R-r)/(R+r+R-r) = (R^2 - r^2)/2R - т.е. квадратичная зависимость.

изменение сопротивления r для для более открытого и более закрытого транзисторов будут разные. Их надо назвать например так r_закр. и r_откр. Т.е. уравнение усложняется.

 

Точнее r_закр = 2r ,а r_откр = r и подставив это получим: Rоб = (R+2r)*(R-r)/(R+2r+R-r);
Тоже квадратичная зависимость.

 

AR®: Тут поразмыслил, и решил покритиковать сам себя и BBB.
Эквивалентная схема с резисторами не кажется мне уже вполне правильной. Дело в том, что транзистор в линейном режиме - это не резистор, управляемый напряжением, а источник тока, управляемый напряжением.

Я тоже об этом подумал. Вроде бы должен линейно детектировать, но тем не менее при малых сигналах детектор нелинеен.

 

Морган
более открытый из транзисторов вносит дополнительный вклад в то, что бы закрыть противоположный транзистор - это помимо закрывающего сигнала на базе противоположного транзистора.

BBB
в результате к базе противоположного транзистора прилижено удвоенное закрывающее напряжение.

Да, но более закрытый транзистор уменьшает потенциал эмиттеров (общий для плеч), это помимо открывающего сигнала на базе противоположного транзистора.
в результате к базе противоположного транзистора приложено удвоенное открывающее напряжение.

Все-таки, где же неодинаковость реакции каждого плеча на отпирающую и запирающую транзистор полуволны???

 

AR®: Все-таки, где же неодинаковость реакции каждого плеча на отпирающую и запирающую транзистор полуволны???
Если сигнал подавать меджу базой и эмиттером, т.е. среднюю точку L2 соединить и эмиттерами (обеспечив при этом требуемое смещение), то изменение тока базы каждого транзистора на одинаковую величину, но в противоположные стороны, не приведет к изменению суммарного тока коллекторов.
В этой схеме сигнал подается относительно общего провода. Здесь напряжение на эмиттерах повторяет входное и равно наибольшему из них. Т.е. положительный полупериод на базе VT1 или VT2.
Например, сопритивление R4 =1к, падение напряжения без сигнада на нем 1В. тогда общий ток транзисторов 1мА, и 0,5ма каждого. Тепеть подаем сигнал 50мВ, напряжение базы VT1 увеличилось на 50мВ, базы VT2 уменьшилось на 50мВ. Напряжение на эмиттерах станет тоже больше на 50мВ, суммарный ток станет равен 1,05мА.

 

BBB
Здесь напряжение на эмиттерах повторяет входное и равно наибольшему из них.

Это само по себе не бесспорно. И требует обоснования.
Бесспорно лишь, что напряжение на эмиттерах, относительно общего провода, равно сумме протекающих через R4 токов, умноженной на сопротивление R4.
А протекают через R4 токи баз и коллекторов обоих транзисторов, никаких других не протекает. Согласны?
Вот, если не лень, и обоснуйте в терминах протекающих токов, почему транзистор, скажем VT1, должен на положительную полуволну отпираться сильнее, чем запираться на отрицательную?

 

Для упрощения предлагаю рассмотреть вариант без R3, как в журнале Радио 1980 года, см. первую страницу темы.

 

BBB: Здесь напряжение на эмиттерах повторяет входное и равно наибольшему из них.
Возможно форма напряжения на базах меняется из-за влияния противоположного транзистора. На эммитерах не синусоида - факт. Возможно такое же на базах т.е. базы повторяет эммитеры.

 

Это требует обоснования. Согласен. Но AR®: транзистор, скажем VT1, должен на положительную полуволну отпираться сильнее, чем запираться на отрицательную Если есть соображения, поделитесь.
Я в свою очередь тоже выдам свои соображения.