Свежие обсуждения
Прочее

Полевые транзисторы

1 2 3
Вариантов можно очень много придумать. Для совсем быстрой проверки, пожалуй, лучше всего подошел бы какой-нибудь генератор ЗЧ на полевом транзисторе (появился звук, значит исправен). Хотя бы - банальный симметричный мультивибратор, в котором один транзистор заведомо исправный, а другой (проверяемый) - вставляется в панельку.  
уважаемый ВИНИ, вижу глубокое знание предмета. в то же время получаю каверзные запросы на свой мыл по поводу замены импортного полевого тр. Q3
в схеме на ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ АНАЛОГ.
http://www3.telus.net/chemelec/Projects/Metal/Metal-1.jpg

c гл поч и ув

 
KT315!
Судя по включению, Q3 используется просто в качестве электрически управляемого резистора. Поскольку управление происходит напряжением положительной пролярности, то Q3 является p-канальным полевым транзистором с управляющим p-n-переходом (например, КП103). Транзистор следует подобрать по соответствующей букве. Она определяет напряжение отсечки и, следовательно, влияет на регулировочную характеристику устройства. В схеме я разбираться не стал. Возможно это цепочка АРУ (но это не суть важно). Выводы стока и истока можно путать безбоязненно. Видимо по этой причине на схеме они и не обозначены.
 
КТ315, там же есть Part List
http://www3.telus.net/chemelec/Projects/Metal/Metal-P.htm
Q3 = 2N3819
В даташите на 2N3819 сказано, что это n-канальный транзистор с максимальным (по модулю) напряжением отсечки -8В и начальным током стока от 2 до 20мА. Отечественные аналоги в том же корпусе TO92 (по памяти, справочник на работе остался) КП364Д, КП364Г. Можно и КП303 с теми же буквами.

ВиНи, напряжение на затворе относительно истока там, очевидно, отрицательное. Потому стоит n-канальный полевик, а не p-канальный.

 
Я посмотрел, откуда идет управление на затвор, - от микросхемы. А они все имеют питание с плюсом. Вот так и решил. Если с м/с идет минусовой уровень - значит надо ставить n-канальный полевик, и DVM - прав. Виноват, если сбил с толку. По ленности разбираться подробнее не захотел.  
Ну если там сказано, что полевик n-канальный - значит так и есть
А насчет уровня - исток Q3 соединен с шиной 0V через резистор, а микросхема IC8 (таймер 555), управляющая затвором, питается от шины 0V (на вывод №8 = Vcc) и -10V (на вывод №1 = GND). Поэтому ее выходной сигнал имеет отрицательную полярность относительно шины 0V (и истока-стока полевика, соответственно).
 
кто скажет где у транзистора коллектор,эмитер  
Любой транзистор (и полевой в том числе) можно сравнить с водопроводной системой:
откуда течет - это исток или эмиттер;
куда стекает - это сток или коллектор;
что запирает(как кран водопроводный) - это затвор или база.
Остальное всё - нюансы.
 
Знать водопровод конечно полезно, но с транзисторами чуть сложнее. Все биполярные транзисторы имеют несимметричную конструкцию и несимметричное респределение примесей в образующих его областях, не смотря на симметрию в структуре типов проводимости (n-p-n или p-n-p). Сделано это специально для достижения максимальных усилительных свойств транзистора. Из этого следует, что два возможных режима работы биполярного транзистора: активный и инверсный, имеют существенно разные свойства.
В активном режиме биполярный транзистор обладает наилучшими усилительными свойствами, при этом на эмиттерный переход подаётся усиливаемый сигнал, а в цепи коллекторного перехода выделяется усиленный. Именно для этого режима между выводами базы и эмиттера должно быть прямое смещение, а между выводами базы и коллектора - обратное смещение переходов.
В силу симметричности структуры транзистора (n-p-n или p-n-p) выводы коллектора и эмиттера биполярного транзистора можно в схеме поменять. При неизменности полярностей питающих напряжений транзистор в такой схеме окажется в инверсном режиме (перевёрнутом, обратном): между выводами базы и коллектора (коллектор занял место эмиттера) будет прямое смещение, а между выводами базы и эмиттера (эмиттер занял место коллектора) - обратное. Переходы в транзисторе поменялись ролями: коллекторный стал инжектирующим (эмитирующим), а эмиттерный переход - собирающим (коллектирующим). В инверсном режиме транзистор тоже обладает свойством усиливать электрический сигнал, но величина возможного усиления в инверсном режиме во много раз ниже, чем в активном.
Исходя из описанных свойств можно правильно определить выводы биполярного транзистора (если они не известны) имея в наличии только омметр. База находится элементарно по симметрии проводимостей относительно её вывода. В процессе поиска вывода базы сразу определяется структура транзистора (n-p-n или p-n-p). А далее потребуется всего два измерения, из которых и определятся выводы коллектора и эмиттера. Щупы омметра (лучше измерять на самой высокоомной шкале) прикладываются к выводам коллектора и эмиттера. Теперь, для определённости описания, надо задаться структурой транзистора. Пусть она будет p-n-p. Между минусовым щупом омметра и выводом базы надо подсоединить резистор на несколько десятков килоом и зафиксировать сопротивление (ток) по шкале омметра. Затем щупы омметра меняются местами и опять подсоединяется этот резистор между отрицательным щупом омметра и выводом базы. Опять определяются показания омметра. В двух проделанных опытах они будут заметно разными. В том случае, когда измеренный ток через транзистор был максимальным (сопротивление транзистора наименьшее), транзистор находился в активном режиме, и щуп с отрицательным потенциалом был на коллекторе, а с положительным - на эмиттере. Всё. Описание закончено, можете потренироваться сами. Кого утомил - простите!
 
А вместо резистора можно использовать сопротивление рук (точнее -- кожи подушечки пальца кисти руки). Предварительно можно поплевать. Эстеты могут просто лизнуть палец языком.
Добавление закончено, можете потренироваться сами.