Прочее	Samsung разработал DDR DDRAM для 3G-телефонов
re-minder 13.05.2004, 19:18	Компания Samsung Electronics разработала микросхемы памяти следующего поколения, предназначенные для работы в мобильных устройствах. Новые DDR SDRAM имеют объем 1,1 Гб и могут работать в телефонах третьего поколения (3G phones). По сравнению с используемыми сейчас, новые микросхемы работают в четыре раза быстрее. Увеличенный объем памяти позволит реализовать в мобильных устройствах воспроизведение видеосигналов и ресурсоемкие игры, что было недоступным с обычной 256-мегабитовой памятью. Samsung планирует выпустить на рынок разработанные DDR SDRAM к июлю 2004 года. Samsung Develops Super Fast Mobile Memory Chip (Korea Times, 12 мая 2004 года)

Samsung разработал DDR DDRAM для 3G-телефонов

13.05.2004, 19:18

Компания Samsung Electronics разработала микросхемы памяти следующего поколения, предназначенные для работы в мобильных устройствах.

Новые DDR SDRAM имеют объем 1,1 Гб и могут работать в телефонах третьего поколения (3G phones). По сравнению с используемыми сейчас, новые микросхемы работают в четыре раза быстрее. Увеличенный объем памяти позволит реализовать в мобильных устройствах воспроизведение видеосигналов и ресурсоемкие игры, что было недоступным с обычной 256-мегабитовой памятью.

Samsung планирует выпустить на рынок разработанные DDR SDRAM к июлю 2004 года.

Samsung Develops Super Fast Mobile Memory Chip
(Korea Times, 12 мая 2004 года)