Просветите на счёт предпочтения тиристоров/мосфетов/IGBT в регуляторах мощности

Изучая тему регуляторов мощности (с выпрямлением и без), и, на счёт эффективности силовиков - не могу прийти к однозначному мнению. Рассматриваю использование регулятора с последовательным силовиком и дроссель-буфером, типа стэп-дауна, на мощность порядка четырёх киловатт, на сетевое напряжение, и: Если использовать тиристор - падение напряжения на нём до двух вольт, в противоположность мосфету (меньше вольта); если IGBT - надёжней и предпочтительней мосфета (хотя я не знаю чем - вопрос); Мосфет имеет меньше падения и встроенный обратный диод, но система с ним должна иметь два последовательных мосфета; системы с тиристором используются при низких частотах - что требует использования больших дросселей с железным сердечником, которые будут гудеть неслабо (вопрос); Высокочастотные системы позволяют отрабатывать ШИМ-ом форму сигнала и решать проблему сглаживания пятидесяти герц без большого дросселя - но частое переключение чревато линейным режимом фронтов, как следствие - потерями. Кроме-того - системам нужен диодный мост - а это два по 0,6 вольта потерь, а если использовать тиристорный выпрямитель (где по тиристору вместо диодов в одном плече), либо систему с удвоителем напряжения - удасться избежать этих потерь (но, при работе на увеличение напряжение с последующим снижением ниже питающего - тиристоры будут испытывать большой скочёк тока при открытии (вообще эта система мне больше нравится - если-бы не скочёк..)). Мне кажется: тиристорная система более надёжна. У биполярников нет такого понятия как падения напряжения открытого канала, но у IGBT (моих имеющихся FGL60N100BNTD) имеет место быть "напряжение насыщения эмиттер-коллектор" в 2,9 вольта - это что ещё за экономия?? - почему в мощных импульсных преобразователях (сварочниках на четыре киловатта и д.р.) я встречаю предпочтение IGBT мосфетам? Что тогда эффективнее в плане общей проводимости по дросселям и другим деталям?: мне кажется - потери на индуктивном сопротивлении дросселей и у других деталей (конденсаторов в удвоителе, диодов в DLC-буфере) соизмеримо с падением напряжения на силовиках (а то и больше) и тут вопрос - какую схему по эффективности лучше выбрать? Вообще, система с удвоением обещает иметь наименьшее количество последовательных деталей. Ещё интересно: а есть-ли опыт использования обратных диодов в мосфетах и IGBT: как тиристор их не используешь, а вот несимметричный регулятор для одной полуволны, на одном силовике (для активной нагрузки) - вполне себе так... Может-быть есть практика использования мосфета на малых частотах - ведь он меньше тиристора имеет падение напряжения...

**************

Какой "чистый форум" - ничего лишнего ;)

Levontay: Может-быть есть практика использования мосфета на малых частотах

В гугле: идеальный диод, мАсква бля 

poruchik: В гугле:

Тогда уж в Яндексе :)