Радио 8/2003 стр.31 БСИТ=IGBT? — Форум про радио

Публикации	Радио 8/2003 стр.31 БСИТ=IGBT?
DVM 01.09.2003, 15:33	Цитата: "...В результате был создан биполярный транзистор с МОП управлением, названный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor - биполярный транзистор с изолированным затвором). В отечественной литературе его называют БСИТ - биполярный статически индуцированный транзистор." Вроде как, БСИТ (в отличие от IGBT) управляются током, имеют малое напряжение насыщения и высокое быстродействие. В качестве примера - КТ698А: коэффициент передачи >= 20, напряжение насыщения <= 0.25В, время рассасывания при Iк = 0.5А, Iб = 25мА < 245нс. То есть, выходит, БСИТ это не IGBT. Да и в литерутуре IGBT все-таки БТИЗ называются. Кто-нибудь может объяснить приведенную цитату? По моему, автор что-то путает.
Арс 01.09.2003, 16:21	Да да, Вы абсолютно правы, это совсем разные вещи. Дурят нашего брата:) Кто возьмет на себя смелость сообщить об этом редакции? :)
ЮХа 01.09.2003, 16:45	Некоторые думают, что редакция не читает этот форум? Но, напомню: собака лает, а конь идет... :)
Ясь 01.09.2003, 18:38	Я так понял, что БСИТ -- это (приблизительно) составной транзистор из биполярного на входе и полевого на выходе, а ИГБТ -- полевой (МОП) на входе, биполярный на выходе. То есть с точностью до наоборот. Так? А о редакции: LZ тут пока еще не писал почему-то.
ВиНи 01.09.2003, 19:38	Несколько лет назад я в какой-то книжке видел структуру БСИТ в разрезе. Она похожа на полевой транзистор с управляющим переходом, в котором канал настолько тонок, что перекрывается обедненным слоем управляющего перехода. В результате БСИТ является нормально закрытым полевым транзистором с управляющим переходом (родственен ему нормально закрытый полевой транзистор с затвором Шоттки). Для его открытия надо на управляющий p-n-переход (затвор) подать прямое смещение, чтобы сузить его обедненный слой и, тем самым, расширить канал. Но при прямом смещении управляющего перехода естественно возникает инжекция неосновных носителей из затвора в канал (как и из базы в эмиттер биполярного транзистора). В отличие от БП транзистора БСИТ работает с низким уровнем инжекции из затвора, отсюда и его более высокое быстродействие за счет меньшего накопленного заряда неравновесных носителей. Про IGBT ничего сказать не могу, не читал и не видел.
DVM 03.09.2003, 06:04	Как раз по IGBT информации в избытке, например тут можно почитать: http://www.gaw.ru/html.cgi/publ/igbt/transistor.htm К тому же полно appnotes на сайтах производителей. Про БСИТ что-то где-то слышал, даже в руках держал :) но особо не разбирался. Информации в инете по ним маловато, нашел вот это: http://www.rlocman.ru/eltav/bsit.htm Они и по условному обозначению от IGBT отличаются. Что-то типа биполярных транзисторов с улучшенными характеристиками. В общем, деза в статье имеет место быть.
ВиНи 03.09.2003, 08:35	Спасибо за ссылку, DVM. С IGBT всё понятно. Думаю, что и про БСИТ я не далек от истины.
PS Designer 17.09.2003, 14:52	А кто может сказать, БСИТ когда-нибудь применялись за рубежом, и применяются ли сейчас? Или это чисто советская разработка? Что-то я про БСИТ не читал ни в одной зарубежной книге по электронике, да и в инете на зарубежных сайтах упоминания нет. Как будто про них там и не слышали.