Электрошок Марго

DWD: В справочнике Ю.И.Конева "Источники вторичного электропитания" описан вариант нулевой схемы преобразователя, только с пропорционально-токовым управлением.
Так вот, при выходной мощности 60Вт он работает без радиатора.
Вот вот, и я о том же.

DWD: Если хочется схему с задающим генератором, то любой ШИМ контроллер с парой или сборкой полевиков даст ещё лучший результат (за счёт меньших напряжения насыщения и времени переключения).
Про полевики речь покаместь не веду, берём равные весовые категории. По полумостовой схеме со средней точкой на биполярных транзисторах, без ШИМа но с защитными интервалами, за пять минут работы (при равных мощностях нагрузки) происходит нагрев корпуса транзистора на 30 градусов, а по схеме с нулевыми токами нагрев на 5 градусов. И где КПД будет выше? По первому варианту народ заявляет КПД 90% и получают большое количество выделения тепла, тобишь полезную мощу гоним в тепло. По второму варианту заявленное КПД 70% и при этом тепло практически не выделяется, и где же здравый смысл? Это я не против Вас DWD, это я про всяческие нестыковки со стороны громких заявлений . И не против Арс.

DWD: Сомневаюсь, что Вы получите напряжение насыщения транзистора VT3 менее 1В. Прогнозируемое значение - 1,5В.
То есть, при питании 9В, только на одном VT3 Вы теряете не менее 10% мощности. Даже, если он у Вас будет переключаться при нуле тока.
Напряжение насыщения 1В, от этого никуда не денешься . Тут вся хитрость именно в токе, по первому варианту транзистор открылся и через него течёт ток постоянный по величине (при полном открытии транзюка тепла выделяется мало) потом при этом же уровне тока начинаем закрывать транзистор и вот тут начинаются тепловыделения потери и т.д. Во втором варианте после открытия транзистора - ток максимальный, потом по мере заряда конденсаторов ток падает, и падает практически до нуля, после чего начинаем закрывать транзистор, и в результате минимум тепла и т.д.

Я чуть подправил свой пост предыдущий.

DWD: Транзистор VТ3 не будет полностью открываться
Что-то такое и было в симуляторе, особо не разбирался.
Арс: Я собирал мостовой квазирезонансный преобразователь без трансформаторов
Шикарное чтиво.

зы Теперь хоть знаю, что Арс - это не "а-пэ-цэ"

Арс: А если Вы о преобразователе из 24В в 12В, так там вроде меньше 90% у меня получилось.

Нашёл.
Да, действительно, Вы написали на бирочке ">85%".
Это - явно меньше 90%...

Borshef: Напряжение насыщения 1В, от этого никуда не денешься...

Почему же...
Я же говорил, что нужно поставить транзистор не n-p-n, а p-n-p.
Эммитер - на плюс 9В, коллектор на трансформатор и коллектор другого транзистора.
В этом случае, напряжение насыщения будет зависеть только от тока базы и коэффициента усиления транзистора, и, как и у транзистора другого плеча, может не превышать 0,5В.
Естественно, при "правильном" выборе самих транзисторов.

DWD: Почему же...
Я же говорил, что нужно поставить транзистор не n-p-n, а p-n-p.
Ну нету у меня "перевёртыша" для КТ829, слепил из того что было...

Borshef: DWD: А раз в схеме, всё равно, применён трансформатор (Т1), то, пожалуй, "двухтактник на трансформаторе со СРЕДНЕЙ ТОЧКОЙ" будет самы выгодным решением...
Ну тут я несогласен, на закрытие транзисторов, у которых ток коллектора максимален в момент закрытия, затратится довольно много энергии + время закрытия будет велико
"Много енергии" - это P=Iб * Uбэ, примем Uбэ=конст.(для простоты) Iб - должен быть таким, чтобы насыщать транзисторы при макс. токе коллектора. А поскольку Iб НЕ ИЗМЕНЯЕТСЯ во время открытого транзистора то никакого выиграша в энергии управления нет.
Время закрытия БТ определяется временем рассасывания неосновных носителей в области база, т. е. током базы и почти не зависит от тока коллектора, так что и здесь выиграш --> 0.

Если схема с уменьшеными С4,С5 и "пахнет" квазирезонансным преобразователем то ++++ в ней мало. ++++ появляются тогда, если с УМЕНЬШЕНИЕМ тока коллектора (перед закрыванием) будет УМЕНЬШЕН ток бази, т. е. реализовано пропорционально-токовое управление.

lolo2: Время закрытия БТ определяется временем рассасывания неосновных носителей в области база, т. е. током базы и почти не зависит от тока коллектора, так что и здесь выиграш --> 0.
Хорошо, а куда делся нагрев БТ? Ушел вместе с КПД? КПД упало, тепло не выделяется - парадокс, КПД подняли - полезло тепло - парадокс ещё больше.

Borshef: а куда делся нагрев БТ?
Одобряю Ваш практический подход. А на вопрос оветить смогу если выложите 2 схемы, тогда попробую угадать с первого раза в какой ключи греются с теоретическим обоснованием. Схемы должны быть с номиналами, ну хотя бы силовая часть.

А как Вы КПД меряли? Я бы нагрузил ударный кондер резистором и мерял ток, напряжение на нем и на батареи. дальше, сами понимаети КПД=Iрез*Uрез /Iбат*Uбат*100%

Таблицу с желтыми ячейками посмотрел, но сравнения разных вариантов схем там не нашел, возможно что пропустил...19 стр, все-таки.

lolo2, Вы знаете что такое динамическая мощность на ключе?
Pрассеивания_ключа = Pуправления + Pстатическая_коллектора + Pдинамическая_коллекотра.
Вы выше привели только Pуправления (P=Iб * Uбэ).
В свою очередь Pстатическая_коллектора = Pстатическая_коллектора_в_открытом_состоянии + Pстатическая_коллектора_в_закрытом_состоянии;
Pдинамическая_коллекотра = Pдинамическая_коллекотра_включения + Pдинамическая_коллекотра_выключения.
Теперь предлагаю Вам рассписать нам более подробно каждую из мощностей.

Они все хорошо описаны в справочниках по ИБП .

Друзья, давайта поконкретней, о каких вариантах схем мы говорим. Я здесь видел только одну - полумост и сказал: транс со средней точкой лучше поскольку преобразование с 9В на 500В. Аргументируйте противоположные мнения, если есть.
Если речь идет о различных модификациях полумоста так давайте варианты - будем обсуждать. А то даже номиналы С4,С5 не указали не говоря уже об осциллограмах тока коллектора.