|
|
|
|
|
Странный парень -
serg6: а если оно у вас уже вжелезе AR®: Вопрос: какого усиления по напряжению можно добиться от нее? здесь или теория,или руки(вернее первое) не в согласии."Учиться,батенька,ещё раз и ещё три раза,учиться"(Дедушка В.И.Ленин)  .
|
|
|
|
Ориентировочно можно посчитать так. Входное сопротивление каскада на VT8 (VT9) 8 ом х 20 (h21) = 160 ом.
Нагрузка предыдущего каскада VT6 (VT7) 160 ом // 300 ом = 100 ом
Входное сопротивление каскада VT6 (VT7) 160 ом х 20 (h21) = 3,2 ком.
Коэфициент усиления каскада на VT5 3,2 ком / 82 ом = 40
Входное сопротивление каскада на VT5 82 х 20 (h21) = 1,6 ком (сопротивление эммитера VT5 в несколько ом игнорируем)
Коэфициент усиления каскада на VT3 1,6 ком / (25 + 25 ом) = 30 (25 ом - сопр эммитеров VT3 и VT4 при токе 1 ма и комнатной температуре - игнорировать уже нельзя) В итоге 30 х 40 = 1200 (40 дб).
Это при разомкнутой петле обратной связи R2-R3 (т.е. R2=0, а емкость С3 неимоверно увеличена)
Коэффициенты передачи транзисторов условно приняты =20.
Вопрос устойчивости остается открытым. |
|
|
|
valpet: Странный парень -
serg6: а если оно у вас уже вжелезе
AR®: Вопрос: какого усиления по напряжению можно добиться от нее?
здесь или теория,или руки(вернее первое) не в согласии."Учиться,батенька,ещё раз и ещё три раза,учиться"(Дедушка В.И.Ленин) .
это вы о чем???
IDiod: В итоге 30 х 40 = 1200 (40 дб).
Это при разомкнутой петле обратной связи R2-R3 (т.е. R2=0, а емкость С3 неимоверно увеличена)
это раз 5-50 ниже ралной схемы- но ...в совковое время считали на худшие варианты |
|
|
|
serg6: это вы о чем??? Это я о том.что знания и познания не мешают в любом возрасте .
|
|
|
|
valpet: Это я о том.что знания и познания не мешают в любом возрасте Ага, а если мозги уже высохли?? Я так давно этим занимался, что читаю все это как с того света послание. Такие ностальгические воспоминания. А тут смотрю некоторые на память - что куда усиливает зают.
|
|
|
|
IDiod
Спасибо за подробный расчет и, собственно, единственный в теме ответ на мой вопрос.
Единственное, с чем не согласен, так это то, что 1200 = 40 дБ 1000 - это уже 60 дб, 1200 - 60 дБ с чем-то.
Я так понял, обозначившийся путь подъема усиления - выбор V5 с большИм h21э, или применение на его месте составного транзистора. Но это уже чревато сужением полосы пропускания. Сколько, интересно кГц достаточно для работы со среднего достоинства микрофоном, если речь не о связной полосе 3 кГц?
|
|
|
|
AR®: Единственное, с чем не согласен, так это то, что 1200 = 40 дБ 1000 - это уже 60 дб, 1200 - 60 дБ с чем-то. Да, обсчитался.
Плюс поправка: через VT3 ( VT4) протекает ток не 1 ма, а 0,5 ма (1 ма делится пополам). Следовательно сопротивление в цепи эммитеров будет не по 25 ом, а по 50 ом, что снизит усиление в 2 раза.
Естественно, на практике коэффициенты передачи по току у транзисторов будут больше (см. справочники и в них же - графики зависимости h21 от тока коллектора).
AR®: Я так понял, обозначившийся путь подъема усиления - выбор V5 с большИм h21э
Также, как и выбор с большим h21 V6 и V7.
|
|
|
|
|