Рассчитать генератор на 2МГц на полтора вольта

дорогой мой любезный Zandy! номиналы резисторов R1 - R3 я расчитывал исходя из режима работы для транзистора, наконец, научился это запросто делать

питание 1.25 уже так как батарейка подсела А габариты мы, кстати, тоже экономим!

номиналы резисторов то и правда могут быть слишком низкие так как вольты изначально низкие, и что они шунтируют колебательную систему

Т.е. надо развязывающие дроссели, а можно ли чайничку смиренно спросить: куда их надо поставить в последней приложенной прошлым постом схеме? последовательно с каждым из сопротивлений R1, R2 и R3?

Кстати, я собрался платку делать для этой штуки, подскажите плиз, какие именно пути в схеме следует сразу иметь ввиду, чтобы минимизировать?

Рано платку делать.
Для низкого напряжения питания хорошо подходят схемы, где транзистор работает в барьерном режиме.
Почитайте хотя бы тут: http://rf.atnn.ru/s3/rl-x2.html и попробуйте.

думаю, надо сперва зашунтировать дросселями то, что имеет наименьшее сопротивление, т.е. ставлю последовательно дроссель с R3 100 Ом, а также на вход аудио

а про барьерный режим работы транзистора кто-то дал совет еще на 1-й странице сей темы, но как-то неполюбилось это предложение и тему замяли

А что стоит попробовать ?
Там всего одно сопротивление и одна формула

Tadas абсолютно прав!
Это кому не полюбилась? Вам? Проектируя схему на 1,5 В нестабилизированного питания, альтернативы барьерному режиму просто не существует, если речь идет о чувствительности к изменению питающего напряжения. То, что делаете вы - это первый шажок. Просто, учитывая ваш уровень, никто не стал настаивать. Люди, советовавшие вам, наверное решили, что неплохо бы вам сначала "на кошках" потренироваться.

А насчет выбора режима конкретно в вашей схеме (R1 - R3) я вобще другого мнения (опять же из-за специфики, связанной с низким питанием, уж очень мало падение напряжения на R3, а сделать его больше вам не позволяет низкое питание), которое уже высказывал, просто здесь не место, чтобы спорить с другими уважаемыми советчиками. Схема была бы менее чувствительна к изменению питания, если R2 вообще не ставить, а ток базы задавать только R1. Правда при этом режим становится зависимым от В транзистора и приходится подбирать номинал R1 для каждого экземпляра транзистора. Но таковы издержки и плата за специфику. Зато резистор становится более высокоомным и надобность в дроссельной развязке отпадает. Конечно такой способ попахивает радиолюбительщиной и в серийных промышленных разработках почти не применяется, но для вашего случая вполне приемлем, учитывая также, что транзистор кремниевый, обратный базовый ток мал, а следовательно и температурная зависимость незначительна.

Очень вам советую почитать книжку "Титце - Шенк Полупроводниковая схемотехника", хотя бы первые главы. Там в сжатой и очень понятной форме описываются принципы работы схем на транзисторах. Могу даже дать ссылку на электронный вариант http://dmitriks.narod.ru/books/titsh1.rar http://dmitriks.narod.ru/books/titsh2.rar

Ну и наконец, если уж совсем конкретно привязываться к вашей схеме, то для того, чтобы базовый делитель (у вас он получился очень низкоомным) не вносил заметного влияния в параметры колебательной системы (опять же, если в этом есть необходимость, т. е. если это сделано не намерено), необходимо поставить дроссель между точкой соединения R1, R2, R in и всей остальной схемой, а L in выкинуть.

ZZZAMK

Не советую экспериментировать сейчас с барьерным режимом. Поймите правильно, я согласен с Zandy и Tadas'ом, что этот режим неплохо было бы использовать в конструкциии с таким питанием (я бы так и сделал), но Ваша квалификация еще только ждет Вас.
Кроме того, схемы http://rf.atnn.ru/s3/rl-x2.html некорректны. Они работают только за счет наличия у транзистора емкостей переходов, а для частоты 2 МГц эти емкости маловаты, генераторы по привведенным схемам могут не заработать вовсе.
Обратите внимание, автор указал верхнюю проверенную границу (110 МГц), но ничего не сказал про низкие частоты. У меня из этих трех схем хорошо работала только первая и моя ее модификация, но это было на частоте около 90 МГц.

Хотя "барьерную" схему рис 18.10 со стр.297 указанной книги Титце - Шенк можно рекомендовать с чистой совестью!

По поводу схем http://rf.atnn.ru/s3/rl-x2.html с Радистом согласен. Для барьерного режима очень хороша стандартная схема емкостной трехточки, где транзистор включен с ОБ (в приложении к самому первому сообщению - это схема "г"). Выкидывается базовый делитель и блокировочный конденсатор, а база подсоединяется непосредственно к земле. По крайней мере когда-то давно я такие схемы делал и могу ручаться. Честно говоря, я вижу здесь только упрощение, а не усложнение. В предыдущем посте я говорил о подаче смещения на базу одним резистором. При достаточно малом номинале этого резистора, такой режим также можно рассматривать, как переходной к барьерному!
Недостатком схем с БР является меньший динамический диапазон и это тоже надо иметь в виду. С модуляцией правда тоже здесь не все так просто. Модулирующий сигнал надо подавать в эммитерную цепь. А еще лучше, вместо резистора замутить токовое зеркало на согласованной паре транзисторов, где один тран-ор используется в качестве опорника. Правда это для начинающего тоже... не особо. Хотя, начинающий начинающему рознь. Честно говоря, я не понимаю, зачем вобще что-то разрабатывать, если ваша схема не будет иметь никаких фишек (или изюма, если хотите). Пропадает интерес, а следовательно основной стимул к работе. Экономический стимул здесь работает плохо. По крайней мере (говорю за себя), никогда не возьмусь за разработку (даже за деньги), если работа мне неинтересна сама по себе, ну, если только руки выкрутят.

Барьерный режим часто используется в эмиттерных повторителях, а также в каскадах ОЭ и ОБ, работающих на индуктивную нагрузку в составе различных аналоговых интегральных схем. В качестве токозадающих, как правило используются не резисторы, а токовые зеркала.
Как по вашему работают операционные усилители на биполярниках, имеющие однополярное питание и допускающие напряжение на входе меньше нуля?