КП958. Что за необычный транзистор?

Столкнулся с таким транзистором в чьем-то самодельном полумосте-автогенераторе для зажигания ЛДС от 12 вольт. Оба горелые после случайного включения в электросеть. Схема идентична схеме энергосберегающей лампочки. Надо починить, но просто мосфеты типа IRFZ44N зверски греются в полумосте и лампа зажигается с трудом, в то время как у этих даже радиатор не предусмотрен. Выяснилось что это не полевик, а какой-то особый транзистор с базовой статической индукцией. Есть аналоги?

http://radioshop.by/datasheets/ec82.pdf
Сопрот. канала в откр. сост. 0,02 мОм! Ачуметь.
Судя по всему прямого аналога нет. По параметрам надо.

бсит наверное
не знал что наши их всеже делали-вроде разработка экспериментальная была-мелкосерийные партии
вобшем и правда хитрые транзюки-у них частотка плоховатая правда-не выше 50кгц вроде в мосте

В общем, я так понимаю, это уникум, которому замены "в лоб" не существует, и схема создана с расчетом на его особые параметры?

Судя вот по этому Uси.нас не более 0.2В при Iс=10А, Iз=0,2А, сопротивление всеже 2 мОм. Надо искать с нужным сопротивлением открытого канала, и буде щасье, имхо.
Упс. Переврал че-то. 0,2/10=0,02 Ом=20 мОм.
Вот здесь http://forum.ixbt.com/topic.cgi?id=48:316 предлагают заменить на IRF1405: Rси не более 5.3 мОм (типичное 4.6 мОм) Только по напряжению надо посмотреть, у КП958 в зависимости от буквы оно разное.

Вставте N-MOS транзюки с мамок комповых 100n30 ИЛИ 60n30
ЕСЛИ будут грется по 2-4 впаралель(на мамках как раз так)

TEX, прямая замена на полевик не подходит, так как КП958 имеет входное сопротивление, как у обычного биполярного транзистора. И звонится так же (база-эммитер - как обычный n-p-n, а база коллектор в обрыве... если не забыл).

По этому входные цепи этих транзисторов и полевиков кардинально отличаются.

Ставьте вместо КП958 какой нибудь КТ819 или срисовывайте схему включения и меняйте её на подходящую для полевиков.

Так у него еще и затвор не изолированный? Это биполярник? А почему тогда КП? Понятно почему феты погано работают. Считал что это вроде IGBT, но что он с входным током даже не подозревал.
Что это за мутант мне попался?

Это обратный к IGBT транзистор. У IGBT (БТИЗ - биполярный транзистор с изолированным затвором) на входе полевик на выходе биполярник, у БСИТ(биполярный со статической индукцией) наоборот, на входе биполярник на выходе поллевик.

Принцип действия и первые эксперименталь-
ные образцы транзисторов со статической индукцией
(СИТ) были разработаны японским ученым Jun-ichi
Nishizawa в начале 50-х годов минувшего века непо-
средственно вслед за изобретением полевого транзи-
стора с управляющим p-n-переходом (ПТУП). Оба
прибора, подобно электровакуумной лампе, управля-
лись напряжением, в чем состояло принципиальное
отличие от созданного ранее биполярного транзисто-
ра. По своей структуре СИТ был очень похож на
обычный ПТУП, отличаясь от него только более вы-
сокой степенью легирования истока и более узким и
коротким каналом. Однако небольшое технологиче-
ское отличие позволило получить прибор, который
мог работать не только в режиме обеднения канала
носителями, но и в режимах его обогащения. При
этом в приборе может достигаться гораздо больший,
чем в ПТУП, выходной ток, но ввиду того, что с рос-
том отпирающего напряжения на затворе последний
начинает потреблять значительный ток, СИТ в этих
режимах переходит с экономичного потенциального
управления на энергоемкое токовое. В результате в
подобных режимах обогащения канала носителями
СИТ, приобретая большие возможности по выходно-
му току, теряет часть своих достоинств и становится
подобен обычному биполярному транзистору, управ-
ляемому током. Тем не менее сочетание свойств по-
левых и биполярных транзисторов с их достоинства-
ми и недостатками сводит эти полупроводниковые
приборы в самостоятельную группу, названную тран-
зисторами со статической индукцией. При этом би-
полярный СИТ (БСИТ), представляя собой техноло-
гическую разновидность СИТ с нормально закрытым
каналом, но с более сложной геометрической формой
затвора, до 1980-х гг. серийно не выпускался.
Изначально задуманный для применения в
мощных ВЧ и СВЧ устройствах, к настоящему мо-
менту СИТ прошел долгий путь развития. По имею-
щейся информации, в начале 1980-х гг. японская
фирма Tokin освоила производство мощных БСИТ
класса 1200 В и выше для применения в электроэнер-
гетике, в том числе приборы 2SK180 — 2SK183. В
нашей стране БСИТ появились во второй половине
80-х. Наиболее полно информация об отечественных
БСИТ представлена в справочнике [1]. Несмотря на
широкую номенклатуру БСИТ, относящихся к раз-
ным классам по напряжению и току, эти приборы не
приобрели широкого распространения в коммутаци-
онной аппаратуре. Причиной этого, по-видимому,
являлось большое остаточное напряжение (напряже-
ние насыщения) открытых БСИТ и очень низкий ста-
тический коэффициент передачи тока в режиме на-
сыщения, что снижало КПД ключей на БСИТ до не-
приемлемого уровня.

«ПРОПОРЦИОНАЛЬНО-НАСЫЩЕННОЕ» УПРАВЛЕНИЕ Б�...

А собрать составной биполярный-полевой, прокатит?