|
|
Непонятки с прозвонкой быстро бы решились ЮХиным стрелочным тестером. К тому же, если это конденсатор, стрелка бы дернулась, и сразу стало бы понятно, что конденсатор. Я держу на столе два тестера, цифровой, и старый стрелочный. Сомнительные диоды проверяю на обоих, бывали случаи, что цифровым тестером, при токе 1 мА, диод звонится нормально, а стрелочным, с током 40 мА, сопротивление диода возрастает, по сравнению с нормой. Такой диод в мусор.
А еще, стрелочный тестер, выводит результат в аналоговом виде, что воспринимается мозгом человека быстрее, чем цифры. Так что стрелочный тестер ближе к осциллографу, по характеру выводимого результат измерения .
А малые утечки в диодах как вы проверите цифровым. Попадались диоды с утечкой в обратном направлении, утечка очень мала, но мой стрелочный, на самом чувствительном пределе измерения сопротивления, утечку показывает мгновенно, незначительным отклонением стрелки. Проверял тот же диод цифровым прибором на 2000 М (или на 20 М) пределе, установки показаний надо ждать порядка десяти секунд. Если б не знал, что диод с повышенной утечкой, мог бы и не определить цифровым.
|
|
|
|
толко что заметил, что тема зовется Диоды шоттки с "ненужных" плат
мне кажется за исключением БП от компа и автозарядок(кои вряд ли можно сюда отнести) ненужные платы НИКОГДА не имеють диодов шотки и вообще шотки ставять в низковолтные мощные цепи или на РЧ, где очень нужна малая емкость перехода,-првда как детекторы они не идут, еще одно время их ставили в импулсные каскады в цепь колектора...для ускорения рассоса заряда в колекторном переходе транзюков микросплавного типа П, МП разные
|
|
|
|
serg6: ... еще одно время их ставили в импулсные каскады в цепь колектора...для ускорения рассоса заряда в колекторном переходе транзюков микросплавного типа П, МП разные Не стаивли их в цепь коллектора, а подключали параллельно коллекторному p-n-переходу (т.е. между выводами базы и коллектора). Подключение этих диодов никак не ускоряло рассасывание неравновесных неосновных носителей!
Суть применения дополнительного диода шоттки заключается в том, что он, имея меньшее прямое падение напряжения, не допускает сильной инжекции неосновных носителей через коллекторный p-n-переход в режиме насыщения транзистора. Поэтому в базе и коллекторе накапливается меньший заряд, и, следовательно, он быстрее и рассасывается при выводе транзистора из режима насыщения.
Поэтому правильнее говорить не об ускорении рассасывания избыточного заряда, а об ограничении этого заряда посредством диода шоттки!
И следует иметь в виду, что данный способ имеет смысл только в импульсных (цифровых) схемах, в которых используется режим насыщения транзисторов! |
|
