|
|
|
|
|
Стойка верхнего излучателя имеет 3-и фиксированных положения:
0 градусов – рабочее положение излучателя.
45 градусов – установка чипа в центральное положение для захвата присоской.
90 градусов – вывод верхнего излучателя за зону платы и транспортировка выпаянного чипа на столик (на фото не показан).
Сначала устанавливаем плату в пазы. Поворачиваем верхний излучатель на 45 градусов, включаем лазерную указку и, перемещая плату по направляющим в 2-х координатах, совмещаем лазерное пятно с центром, выпаиваемого чипа.
Ставим термопару на плату, возле чипа, и обеспечиваем НАДЕЖНЫЙ тепловой контакт.
Поворачиваем излучатель в рабочее положение (0 градусов), включаем станцию, устанавливаем присоску. После отпайки чипа, поворачиваем верхний излучатель на 90 градусов, (излучатель покидает зону платы и больше ее не греет), освобождаем чип.
Перемещаем плату по направляющим из зоны нижнего излучателя, в зону вентилятора и охлаждаем.
Всем участникам форума УДАЧИ!! В разработке, изготовлении, и эксплуатации ИК паяльной станции.
    |
|
|
|
Miron63 Если быстрее поднимать лучше шары, для чего скорость подъема выше?
А на счет программы под симисторы не сможешь сделать? VladimirSk я не понял ты что прощаешься?, а электроника, что на чем, как управляется, как профиля задаются и какие?
Твои посты очень познавательные для некоторых (имею ввиду себя).
Ты на своей станции только демонтируешь или и паяешь? |
|
|
|
grean2007: Miron63 Если быстрее поднимать лучше шары, для чего скорость подъема выше?
А на счет программы под симисторы не сможешь сделать?
Не - это не скорость подъёма выше, это скорость перед захватом ниже. Скорость подъёма может быть любой, а вот скорость опускания присоски, большая не желательно.
Под симмисторы эту станцию, переделывать не буду, не вижу особой необходимости, да и не так это просто. |
|
|
|
grean2007: VladimirSk я не понял ты что прощаешься?
Да, решил попрощаться. Дело в том, что в эту тему я пришел обсудить "узкие места" в ИК станции и, может быть, общими усилиями их решить. Но для этого нужен диалог, а собеседник мог видеть ход моих мыслей (может и ошибочных), так же, как и я его. Поэтому, я и "делаю воду", но это было воспринято, как "навязывание" теории и, диалог не состоялся. Также, я не вижу "хода мысли" собеседника и не могу определить, почему он принял то, или иное техническое решение.
grean2007: а электроника, что на чем, как управляется, как профиля задаются и какие?
Фотографии размещал на сайте не для того, чтобы "слепо" копировать и переносить в свою конструкцию, повторяя мои ошибки и недоработки, а для того, чтобы, проанализировав, взять для себя что-то хорошее, а недостатки отбросить.
grean2007: Ты на своей станции только демонтируешь или и паяешь?
Да, с помощью станции, я также паяю, но только то, что наиболее подходит для этих целей (BGA, м\с у которых снизу площадка, для припайки на фольгу верхнего слоя для теплоотвода, мощные чипы драйверов). Все остальное с помощью ручной пайки (как уже говорил Степан), применяя специальные "жала" (микроволна, специализированные под определенные компоненты). Нижний столик могу использовать для предварительного нагрева.
grean2007: Miron63 Если быстрее поднимать лучше шары, для чего скорость подъема выше?
Я, считаю, что формировать шары, в процессе демонтажа BGA, это ошибочное решение. Могу описать свой взгляд на эту проблему, но только с согласия Степана. Раньше этого не делал, чтобы не восприняли, как "наезд".
miron63: Под симмисторы эту станцию, переделывать не буду, не вижу особой необходимости, да и не так это просто.
Вот это меня и интересовало, но, увы…
|
|
|
|
VladimirSk: Но для этого нужен диалог, а собеседник мог видеть ход моих мыслей (может и ошибочных), так же, как и я его.
Почему ты так решил? Я уверен если бы мы дискуссировали в живую, мы бы быстро нашли общий язык и стали бы друзьями.
Дело в том, что описать, ход своих мыслей, на бумаге требует очень много времени и только поэтому тема не перешла в разряд
дискуссии. Тема сложная, двумя словами не описать. Например, что совместный подогрев ИК и горячим воздухом, при работе с BGA, не так уж и утопическая идея и зачем это нужно, потому как я иногда использую такую "технологию". В моём практическом багаже, есть множество опытов по зависимости глубины прогрева от типа кварцевой трубки и как оказалось, из
твоих постов, свойства трубки легко изменить пошкурив её, и я проверил, это так, а я этого не знал, а искал трубки с белой поверхностью. Измерять длину волны ИК, пробовал с помощью дифракционной решётки, не получилось, поэтому твой опыт
здесь очень пригодился бы. А сравнить свойства двух нагревателей на глубину прогрева, то есть какой из них имеет большую
длину волны, есть простейший но достоверный метод.
Многие вопросы, хотел бы с тобой обсудить, и думаю полезно бы остальным.
VladimirSk: Я, считаю, что формировать шары, в процессе демонтажа BGA, это ошибочное решение. Могу описать свой взгляд на эту проблему, но только с согласия Степана. Раньше этого не делал, чтобы не восприняли, как "наезд".
Разрешаю!!!!!
Хочу напомнить, что я, здесь НИКТО. Я даже не открывал эту тему. Никакого разрешения у меня спрашивать не нужно. Я вполне адекватный человек, и нормально воспринимаю любые версии, тем более, что "ход моих мыслей", по этому вопросу уже не один раз менялся. |
|
|
|
VladimirSk: Что можно улучшить в этой конструкции? отодвинуть отражатель от излучателя - улучшит равномерность нагрева. |
|
|
|
miron63: Никакого разрешения у меня спрашивать не нужно.
Вопрос не в разрешении, а в том, чтобы это не было воспринято, как "нападки". Иначе, разговор быстро повернет в русло "сам дурак" и, от конструктивного обсуждения не останется и следа.
Снова "вода". Условия формирования шара. Если внутренние гравитационные силы в материале превосходят все внешние "возмущающие силы", то материал приобретает форму шара (самая оптимальная форма). Так происходит и с планетами, и со звездами (Ого! Куда хватил ), и с припоем на чипе. Но, нормальному формированию шара на чипе, при расплавленном припое, мешает поверхностное натяжение, по этой причине образуются "пирамидки". Уменьшить поверхностное натяжение, помогает флюс, но этого не достаточно. Дальнейшее повышение температуры припоя, приводит к желаемому результату. Но, с переходом на припои без содержания свинца, их температура плавления повысилась ("Спасибо" Зеленым), а допустимая температура кристалла чипа, осталась прежней. Вот и получается, чтобы получить шары, необходимо превысить максимальную температуру чипа, а это ведет к выходу чипа из строя, или значительному уменьшению гамма - процентного ресурса (быстрое "старение" чипа, ухудшения его технических характеристик и быстрому выходу из строя "выживших" чипов).
Как ты достиг таких красивых шаров? Ведь за циклом нагрева следит термопрофиль, не давая перегреть чип. Да все очень просто: - установив прокладку под термопару, мы имеем температуру чипа выше, чем показывает профиль.
Мое ИМХО: - шары, полученные при демонтаже чипа – не более чем, "красивый венок на могиле, убитого чипа"
P.S. Я, не "компьютерщик" и, поэтому, не знаю всех тонкостей и специфики в этом вопросе. Прошу: - не "пинайте меня ногами", за неосведомленность в различных нюансах. Рассматриваю эту тему, с точки зрения "хозяйственных нужд". |
|
|
|
Обрати внимание на термопрофиль.
Шары начинают образовываться при температуре 200гр, для свинца( что бы не путаться безсвинец пока трогать не будем, это
отдельная тема). При температуре 220гр, как положено, шары полностью готовы. Если это не так, или термометр не правильно работает, или флюс не годится. Эти температуры, я знаю, потому как на этом же термопрофиле делаю оплавление при реболлинге,
и очень хорошо видно когда шары начинают формироваться. Прокладка под термопару, это мягкая термопроводящая. В начале
использовал термопасту, то размажется, то перемешается с флюсом, потом ещё нужно отмыть. Опробовал термопрокладку, температура совершенно одинаковая, как и с термопастой. |
|
|
|
AnSi: отодвинуть отражатель от излучателя - улучшит равномерность нагрева
У меня излучатели собраны по принципу пластинчатых излучателей, но с цилиндрическими элементами для рассеяния излучения. Поэтому отражатель возвращает излучение, обратно на кварц, дополнительно его нагревая. Непосредственного участия в облучении платы, не принимает. В классических пластинчатых излучателях, отражатель стоит вплотную к тыльной стороне излучателя. |
|
|
|
miron63: Обрати внимание на термопрофиль.
На свинце зона формирования шаров не "выскакивает" за допустимый предел. Зона активации флюса, служит не только для этой цели. Но, давай продолжим завтра, а то, голова уже не работает. |
|
|
|
|
