Инфракрасная паяльная станция

AnSi: вы управляете нагревом только исходя из показаний термопары ?
В данной конструкции нагрев управляется по показаниям аж трёх термопар. Не совсем то что нужно, но свою
функцию они выполняют. Окончательного варианта, как лучше организовать слежение по линии термопрофиля
пока нет. Когда я предлагал обсудить программное обеспечение, я и имел ввиду этот момент, а народ почему то
начал обсуждать как включить симмистор.
AnSi: в смысле у вас нет подобия термопрофиля для напряжения ?
Термопрофиль напряжения не сложно реализовать на контроллере. Дело в том, что не получится организовать
термопрофиль температуры по термопрофилю напряжения. Можно измерять и ввести пропорциональность для
одной платы, а для других плат и для других внешних условий, эта пропорциональность будет другой.

miron63, зная вас еще по подобной теме на мониторе, хочу спросить ваше мнение по поводу разницы температур на поверхности чипа и плате под ним. Достаточной была бы разница до 15*С: чтоб шары расплавить и чип не спалить. Но бывает, что разница может достигать 20 и более *С, тогда либо непропай либо чипу конец в зависимости, что выбрать. Вы анализировали этот факт и что на ваш взгляд должно максимально уменьшить разницу этих температур? Может у кого-то еще есть идеи по этому поводу,

maxlabt: miron63, зная вас еще по подобной теме на мониторе,
Приятно "видеть" знакомые "лица".
maxlabt: Но бывает, что разница может достигать 20 и более *С, тогда либо непропай либо чипу конец в зависимости, что выбрать
Эта разница зависит от длины волны излучателя. По разнице температур , я отбирал, что годится для наших
целей и уже накопился некоторый практический опыт, каким должен быть нагреватель. Теоретически всё это
помог объяснить" VladimirSk", на предыдущих страницах этого форума, рекомендую внимательно ознакомится
многое станет понятнее. Т.Е нужно предпринимать все доступные меры, для увеличения длины волны ИК.
На данном этапе мне удалось построить нагреватель, где температура на поверхности чипа и возле него одинакова.
Пластиковые детали "просвечиваются" насквозь и нагреваются с низу, от платы. Ставлю под верхний нагреватель контейнер от батареи и замеряю температуру: плата возле контейнера 190гр. , а температура на пластиковом контейнере 160гр. Следов плавления нет . Из этого можно сделать вывод, что пластиковые детали, независимо от их цвета прозрачны для ИК с увеличенной длиной волны.
Я ещё ранее, на других форумах, видел фото твоей станции. Внешне, нормально всё сделано.
В нижнем нагревателе, если мне не изменяет память, у тебя стоят галогенки. Галогенки я забраковал, ещё ранее, как не пригодные для наших целей, но у тебя они закрыты мелкой сеткой и сама разогретая сетка
будет источником ИК излучения увеличенной длины волны.

AnSi: в смысле у вас нет подобия термопрофиля для напряжения ?

Об этом я и вел речь на стр. 17, пост 23 апр., 15:08. На каждом участке термопрофиля, подводится "необходимая мощность" (назовем так, чтобы не касаться темы управления симисторами), а внутри участка, производится корректировка по термодатчику, установленном на плате. При такой конфигурации, можно реже мерить температуру и вносить корректировку ("растягивать время").

miron63:Дело в том, что не получится организовать термопрофиль температуры по термопрофилю напряжения.

Так ведь никто и не предлагает делать термопрофиль по напряжению, а просто "грубо" устанавливать напряжение для каждого участка профиля, а затем, корректировать это напряжение по датчику, в зависимости от рассогласования реальной температуры и заданной. Как мне кажется, управлять температурой нижнего нагревателя, все же лучше датчиком на нижней части платы, а не у нагревателей. Датчик у нагревателей можно оставить, как аварийный при превышении температуры (в случае отказа датчика снизу платы). Такой вариант, тоже имеет ряд недостатков. Но думаю, что его нужно обсудить. Какие будут мнения?

miron63: но у тебя они закрыты мелкой сеткой и сама разогретая сетка будет источником ИК излучения увеличенной длины волны.

Самый лучший результат получится, если сетка будет из "нержавейки"

miron63: а для других плат и для других внешних условий, эта пропорциональность будет другой.

поскольку верхний нагрев должен обеспечить "дельту" от нижнего - пракически догреть плату от 150-190 до 215-250 гр - т.е. догреть плату на 30-70гр
можно поступить следующим образом:
параметры платы и влияние внешних условий можно "снимать" нагревая её верхним нагревателем от комнатной(20-28гр) температуры до например 80гр по профилю напряжения, снимая при этом профиль температуры - после 80гр отключить верх, включить низ - затем, после прогрева платы низом(110-190гр) внеся необходимые коррективы в снятый "профиль" догревать чип верхом.

maxlabt: Может у кого-то еще есть идеи по этому поводу,

чем больше разница между температурой "низа" и "плавления" чипа и выше скорость нагрева(верхом) - тем больше подобных проблемм.

VladimirSk: Как мне кажется, управлять температурой нижнего нагревателя, все же лучше датчиком на нижней части платы, а не у нагревателей.
Не хочется вводить ещё один не стабильный датчик. Не удобно его устанавливать и не всегда есть гарантия,
хорошего термоконтакта. При хорошем НИ, этот датчик, в момент разогрева, будет показывать близкую температуру с датчиком возле чипа, поэтому от него вынужден отказаться.
AnSi: параметры платы и влияние внешних условий можно "снимать" нагревая её верхним нагревателем от комнатной(20-28гр) температуры до например 80гр
В одной из моих пробных прошивок была реализация подобным образом. Реализация была такая:
К датчику возле трубок прикреплён маленький кусочек текстолита. Разогрев этого кусочка, мало зависит от
внешних условий и размер всегда одинаков. А плата разогревается с учётом уже этих факторов.
По разнице температур возле нагревателя и платы, определяются выше названные условия, и контроллер
автоматически подставляет коэфициенты необходимые для управления нагревом. Положительные
результаты есть и такой алгоритм сейчас рассматриваю как основной.

miron63: У меня трубка наружный диаметр 12мм, других нет. Марка нихрома неизвестна и какая длина волны, можно только предполагать.

есль формула - закон смещения Вина

длина волны = 0,002899 / Т

Т - температура в кельвинах, для пересчёта из цельсия надо прибавить 273
длина волны в метрах
---
например для тела с температурой 350гр цельсия(максимальная температура алюминиевого стола ИК-650) получим:
0,0029 / (350+273) = 4,65мкм
для 250гр
0,0029 / (250+273) = 5,54мкм
527 С — начало видимого темно-красного свечения раскалённых тел
0,0029 / (527+273) = 3,62мкм
-----
"царапая" кварцевые трубки вы делаете их поверхность менее прозрачной, в результате чего она поглощает часть излучения и разогревается, но с меньшей температурой(чем нихром) в результате(из-за меньшей температуры) они излучают бОльшую длину волны(и бОльшую мощность(в соответствии с поглощённой)). т.е. борьба за длину волны практически сводится к понижению температуры излучающей поверхности, на практике это просто требует увеличения площади этой поверхности(при той же мощности).

AnSi: "царапая" кварцевые трубки вы делаете их поверхность менее прозрачной, в результате чего она поглощает часть излучения и разогревается,
Всю физику процесса понять сложно. Я не являюсь глубоким специалистом в этой области и полагаюсь
больше на практические эксперименты, а теорию использую лишь что бы знать в каком направлении двигаться.
На основании своих наблюдений я понял этот процесс немного по другому. Трубка прозрачная
также как и шершавая одинаково плохо пропускают коротковолновый спектр ИК от нагретой до красна спирали
и разогревают трубку. И трубка, а не спираль, и является основным источником излучения. Температуру трубки
нужно снизить до минимума при котором ещё способна разогреться плата. Я это делал следующим образом:
увеличил толщину нихрома для спирали, тем самым уменьшив температуру спирали при той же мощности.
Этим самым появился длинноволновый участок непосредственно от спирали, который стекло трубки пропускает, а всё что не пропускает разогревает её, и она является вторичным источником излучения, т.е происходит некоторая
стабилизация длины волны. Трубка шершавая разогревается так же как и прозрачная. Видимая прозрачность для
ИК, значения не имеет. Но шероховатость в трубке выполняет примерно такую же роль как и рёбра в радиаторе,
то есть увеличивают площадь охлаждающей поверхности и в результате естественного охлаждения, температура
её ещё снижается, увеличивая тем самым отдачу тепла в нужном нам направлении.
Трубки я не зашкуривал, я нашёл такие готовые.
Может я не совсем прав, если есть специалисты в этой области, то пусть по улыбаются, но я так понял этот
процесс.
Здесь ещё могу только добавить, когда покупаете трубки, постарайтесь определить, является ли она кварцевой, или она из обычного огнеупорного стекла.

miron63: Не хочется вводить ещё один не стабильный датчик. Не удобно его устанавливать и не всегда есть гарантия, хорошего термоконтакта.

Вот это и есть недостаток для применения нижнего датчика.
А может, стоит "посушить голову" по конструкции датчика для замера температуры снизу платы? На мой взгляд, лучше знать реальную температуру, а не мерить ее в "попугаях", причем, для разных плат будут разные "попугаи".
На форуме по ремонту ноутбуков, для станции ИК-650, очень много путаницы с этими "попугаями". Где-то видел нижний датчик, подпружиненный, и устанавливается в любую точку платы, правда тоже не очень удобно.

miron63: но я так понял этот процесс.

Да, в основном, ты правильно его понял.

miron63: постарайтесь определить, является ли она кварцевой, или она из обычного огнеупорного стекла.

Кварцевое стекло имеет явно выраженный максимум излучения в диапазоне волн 3-4 мкм, а у обычного огнеупорного стекла его нет. Поэтому, для наших целей, его применять нельзя.