|
|
|
|
|
"К снижению сквозных токов тоже никаких мер поднебесными жильцами не приложено".Г.Давиденко пишет:открывание транзистора всегда присходит быстрей чем закрываниие,в результате чего некоторое время(около1мс)транзисторы обеих плечь моста оказываются включенными.Спасает транзисторы MJE13003 от выхода из строя относительно высокое сопротивление в состоянии насышения и наличие токоограничительных резисторов в эмиитерных цепях.Так вот сопротивления в эмитерных цепях во всех эл.баластах были,(а у меня их было в ремонте шт.15)и китайцы это условие выполнили.А транзисторы MJE 13003 спецально розработаны для таких целей фирмой Motorolla.Они работают в тех условиях где другие транзисторы вышли из строя,или как миниум рассеивали большую мощность. |
|
|
|
Интересные соображения... А ещё где-то здесь ВиНи высказывал мысль, что в эту же сторону работают применённые в балластах специально низкочастотные диоды, параллельные базам ключей. Туда напрашиваются скоростные, но если применить НЧ-диоды, то по его мнению, они будут своим затянутым запиранием не давать ключам открыться слишком быстро, создавая добавочный защитный интервал. По-моему, мысль здравая, её бы проверить на практике... |
|
|
|
Скажу так, для балластов мощностью 2х36Вт этих мер (резисторы в эмиттеры) уже недостаточно. Транзисторы 13005 греются до 120 градусов за 2 минуты по любому. А вот если применить дроссели в базы - как вот в этих схемах http://forum.ixbt.com/post.cgi?id=attach:47:517:1176:1 - то транзисторы нагреваются до 60 градусов максимум. |
|
|
|
Fatus!
Где вы нашли дроссели в базах? На схеме только обмотки обратной связи от трансформатора и дроссель в цепи ЛДС. Параллельно эмиттерным цепям действительно стоят "медленные" диоды 1N4007.
Для эксперимента, если эти диоды замените высокоростными, "например" КД522, - транзисторы почти "мгновенно" сгорят. |
|
|
|
ВиНи, R7 и R8 - дроссели по 120мкГн.
Параллельно эмиттерным цепям можно ставить и 1N4148 (аналог КД522) - китайцы во всю их ставят (на руках такие балласты двух китайских производителей). Основная идея этого диода - ограничение обратного напряжения база-эмиттер, дабы переход не пробился (напряжение пробоя ~10В). Кроме этого, имею в руках разобранный балласт 2х36Вт (мощность выдает честно) фирмы ПОСВЕТ - там в цепи базы тоже стоит дроссель 27мкГн и конденсатор 0,47мкФ. |
|
|
|
fatus: Наверное это вещи взаимосвязанные Простейшее решение - домотай витков на дроссель.
да нет... просто лампа бОльшей мощности, чем необходимо... менять светильник нет желания - куда этот девать?
|
|
|
|
да и мотать.. сколько? опытным путем? доматывать, отматывать... а светильник на потолке... ведь проверять надо на месте... а так взял, вывел подстроечный резистор и пользуйся - добавил, убавил... так как на счет схемы с регулированием яркости лампы? |
|
|
|
Действительно, дроссели стоят. Я их без увеличения не заметил. Но в данных схемах отсутствуют конденсаторы, шунтирующие эмиттерные переходы. Возможно, это звенья одной китайской мысли  . fatus: Основная идея этого диода - ограничение обратного напряжения база-эмиттер, дабы переход не пробился (напряжение пробоя ~10В).
Если бы только эта задача, то правильнее было поставить стабилитроны. Один раз я видел такую схему (последовательно диод и стабилитрон) в какой-то импортной компактной ЛДС. Но пока я продолжаю верить, что эти параллельные диоды помогают создать подобие защитного интервала для уменьшения сквозного тока через транзисторы полумоста.
Вообще, вариантов полумостового автогенераторного балласта для ЛДС под два десятка наберётся, а работают они все почти одинаково! Не заморочивайтесь с выбором "самой правильной и надёжной". Надёжной станет та, которую правильно настроите. |
|
|
|
ВиНи,
1. диод и стабилитрон ставят когда в качестве силовых транзисторов используют полевики.
2. конденсаторы шунтирующие эмиттерные переходы по-моему как раз выполняют роль ограничителей напряжения - взамен диодов. смотри например схемы в книге Давиденко.
3. по своему опыту скажу: применение индуктивностей резко снизило нагрев транзисторов. Чего не удавалось добиться иными способами. речь естессно идет про балласт на 80Вт |
|
|
|
fatus: 1. диод и стабилитрон ставят когда в качестве силовых транзисторов используют полевики.
В этом случае достаточно только одного стабилитрона (не двуханодного, естественно)! А зачем ещё диод к нему в добавок? fatus: 2. конденсаторы шунтирующие эмиттерные переходы по-моему как раз выполняют роль ограничителей напряжения - взамен диодов. смотри например схемы в книге Давиденко.
Эти конденсаторы затягивают фронты управляющих базовых импульсов (дроссели, о которых ведём речь, делают тоже самое). Ограничительными свойствами они не обладают. fatus: 3. по своему опыту скажу: применение индуктивностей резко снизило нагрев транзисторов. Чего не удавалось добиться иными способами. речь естессно идет про балласт на 80Вт
Опыт - процесс очень полезный! Осталось теперь точно измерить мощность ЛДС с и без этих дросселей. Результат, естественно, прибавить к тому же опыту.
|
|
|
|
|