Срок хранения и службы у электронных компонентов

Mastak: в схемах продукции оборонки не рекомендовалось применять высокооммные резисторы

Возможно особо высокоомные имеют не нормированую индуктивность- 22Мом млт-0.5 у некоторых производителей уже имеют не сплошное покрытие по керамике,а спиральное напыление, как у КЭВ'ов. А что до точности элементов, так армия входной контроль и предварительную сортировку/отбраковку имеет,когда то попадалась в руки брошюра по требованиям к элементной базе, так там если точность требуется 10 %, то на входе разброс сортируют не в пределах +/-10%, а +/-5%, то бишь диапазон 10%. Вдобавок ,ежели нужны ну очень точные, не стесняются и довести элемент до нужного номинала физически - реально видел 5.1к перемаркированый в 5К203 (то есть 5203 Ом) , с подшлифовкой боков и нанесением новой маркировки поверх старой. Удобный прием кстати,когда нужны строго идентичные резюки легко 'допилить' до нужного номинала алмазным надфилем тот что оказался чуть меньшего сопротивления.

Eugene.A: срок хранения полупроводниковых и других приборов определяется скоростью диффузии - взаимопроникновением примесей в P-N переходах, материала обкладок конденсаторов в керамику и т.п.

Чушь. Если вспомнить, то упомянутые транзисторы были сплавные - т.е в пластинку полупроводника вплавляли что-то, что создавало переход. Температура диффузии(вплавления) была порядка 1000 градусов. Т.е. при комнатной температуре ожидать
какой-то диффузии примеси в п-р переходе не приходится. Сейчас чаще всего внедрение примеси производится с помощью ионного легирования с последующим не менее высокотемпературным отжигом.
Какую бы технологию транзистора не использовали, PN-переход всегда выходит на поверхность. А вот поверхность подвержена влиянию внешней среды - ведь в переходе действует мощное электрическое поле, притягивающее ионы, и другие примеси, создающие токи утечки. Эти примеси и ионы могут быть и внутри корпуса, изоляции, пассивации, так и внешней среды. Особенно это влияет на германиевые транзисторы, поскольку даже изоляция на германии "чужеродная".
В этом смысле кремний намного лучше, поскольку при окислении создается в чистых условиях(!) слой родного изолятора - SiO2.
Но всё равно, металлизация - алюминиевая, имеет контакт с кремнием, дополнительные слои изоляции и пассивации - немного влаги и появляются электохимические потенциалы, разрушающие контакты.
Короче, основная причина деградации п/п элементов - недостаточно "чистая" технология при производстве и корпусировании. Не зря военная продукция шла в золочёных и керамических корпусах. А технология по сути, была та же, только отбор по ВАХ.

Ну и как конденсаторы-"флажки" допиливают до нужной ёмкости, точнее, докусывают, все видели, наверное. И это в бытовухе.

prorad: Т.е. при комнатной температуре ожидать
какой-то диффузии примеси в п-р переходе не приходится

Eugene.A: Два свинцовых куба отполированными поверхностями слипаются при комнатной температуре из-за диффузии практически мгновенно(школьный опыт).

prorad: возрастает подвижность загрязняющих примесей и ионов в защитных слоях п/п-ка и повышается проницаемость этих слоёв и корпуса прибора для внешней среды.

prorad:...упомянутые транзисторы были сплавные - т.е в пластинку полупроводника вплавляли что-то, что создавало переход. Температура диффузии(вплавления) была порядка 1000 градусов.

Старые транзисторы, типа МП** - сплавные, так вот, попытки извлечь кристалл (он припаян на кристаллодержаль) не увенчались успехом, так как температура спая кристалла и держателя много больше температуры плавления вплавления. Паяльником прогреешь и в кристалле образуется дырочка - вплавленный кусочек плавится быстрее и вытекает.
А это температуры порядка 200 градусов...

DWD: так вот, попытки извлечь кристалл

Гибридки дома делать хотели ?

Да. С германиевыми не получилось ни с одним п/п прибором.