Многоэмиттерные и многоколлекторные.

TEX, найдите какой-нибудь транзисторный кюч (124КТ...) и будете иметь двухэмиттерный транзистор. Их делали именно так. Кроме того был и отдельно выпускаемый двухэмиттерный транзистор КТ118.

Модель и формулы для расчета транзистора - книга "Программа схемотехнического моделирования MicroCap-8" М.А. Амелина С.А. Амелин стр. 345-354

TEX: Мне например, захотелось собрать устройство по внутренней схеме некой ИМС, но входящий в ее состав многоэлектродный транзистор не существует в виде дискретного элемента. Вопрос - можно ли заменить его обычными, например, так как на картинке?

Вы так и не раскрыли нам, что это за устройство с многоэмиттерным транзистором.

АК: Вы так и не раскрыли нам, что это за устройство с многоэмиттерным транзистором
дак ведь ТЕХ написал- это кр1006ви1

Хотя, я не прав, в электрической схеме КР1006ВИ1, которую привел ТЕХ, таких транзисторов нет (и я поверил), а вреальной электрической схеме КР1006ВИ1 один двухэмиттерный транзистор просматривается:

АК: один такой транзистор просматривается:
просто ТЕХ сделал схему по его нуждам- немножко переделал

А вот в аналоге, NE555, нет многоэмиттерных транзисторов.

начинающий: просто ТЕХ сделал схему по его нуждам- немножко переделал
Но в то же время, описывая свои изменения в схеме, он ничего не говорит про многоэмиттерные транзисторы:
TEX: За неимением двухколлекторного транзистора, один из коллекторов которого соединен с его базой, решил воткнуть токовое зеркало VT16VT20. Оно туда напрашивалось. Посмотрю что из этого выйдет.

Итегральная и дискретная схемотехника разнятся, порой, кардинально.
Причин довольно много, например: в интегральном варианте пока нет возможности создать р-п-р структуры (транзисторы) с большим коэффициентом усиления (т.е. нет комплементарных пар), из-за "тесноты" структур приходится учитывать влияние выхода на вход (по сигналу и температуре). В дискретном варианте эти задачи решаются элементарно. К примеру, ОУ с комплементарной парой на входе уже не нуждается в токовом зеркале.
У интегральных есть, конечно, и свои плюсы, например, идентичность пары в диф-каскаде, создание источника тока на несколько потребителей (за счет увеличения площади эмиттера)...
Я и сам по этому поводу толком всего не знаю, но немного почитав, как проектируются м/схемы, понял, что повторять "интегралки" на дискретных элементах "один-к-одному", мягко говоря, несерьёзно .
Многоэмиттерных структур (как-то даже неудобно называть их транзисторами в аналоговвых схемах я не встречал - встречал их лишь в логике. Про многоколлекторные я уже сказал - источники тока на несколько цепей.
Транзистор с базой, соединенной с коллектором, является "отражателем" в схеме токового зеркала. В дискретном варианте желательно включить небольшие резисторы в цепи эмиттеров этого транзистора и принимающего транзистора - это сгладит разброс их характеристик.

sprite: В дискретном варианте желательно включить небольшие резисторы в цепи эмиттеров этого транзистора и принимающего транзистора - это сгладит разброс их характеристик.
Спасибо вам, это был тот ответ, в котором нуждался.