Цоколёвка транзистора КТ685 ?

solarus: Падение напряжения на коллекторном переходе, в силу его большей площади, меньше, чем на эмиттерном.

Возводить в стопроцентную закономерность эту особенность НЕЛЬЗЯ! Она является таковой только в случае различия площадей переходов при одинаковой концентрации примесей в областях сравниваемых переходов. В действительности этого никогда не бывает. Если провести эксперимент по выявлению зависимости падения напряжения на p-n-переходе от концентрации примесей, то получим следующий результат: чем больше примесей в областях перехода, тем больше падение напряжения на переходе! Напомню, что эмиттерный переход образован областями с очень большой концентрацией примесей, а коллекторный - с малыми. Вот теперь и попробуйте еще раз так же напористо порекомендовать метод знакомых ремонтников.

ВиНи: чем больше примесей в областях перехода, тем больше падение напряжения на переходе! Напомню, что эмиттерный переход образован областями с очень большой концентрацией примесей, а коллекторный - с малыми.
Ну вроде так и получается, что на эммитерном переходе падение больше, как говорили выше. Разве что физику явления ВиНи точнее объяснил.

TOV: Ну вроде так и получается

Да, точно! Это я уже сам загаллюцинировал после съеденных опят . Виноват. Но логика должна работать не только от площади!

Конечно, я имел в виду только мощные транзисторы (спасибо всем, что напомнили про детские годы ). У которых массивный корпус-теплоотвод, а не корпус как оболочка для кристалла. Если уж возникла проблема отводить тепло от корпуса МП39-МП42, то, скорее всего, транзистор уже мертв...

Mastak: (спасибо всем, что напомнили про детские годы ).

Ну почему, аудиофилы и гитаристы до сих пор предпочитают германиевые транзисторы кремниевым (про лампы промолчу)

Не читал весь топик, искьюз ми плиз. Но в свое время венгры выпускали прекрасные транзисторы - аналоги МП39-МП42, ГТ402, ГТ404, но в миниатюрных корпусах (иногда с маленьким радиатором в виде алюминевого бруска). Например АС128, АС189.

Skit: Не читал весь топик

А зря.

Я про германий. Уж больно страшные МПшки - у меня до сих пор коробка валяется.

2ВиНи.Упрямая скотина-яндекс- чтой-то говорит, что проводимость полупроводника тем больше, чем больше степень его легирования. Дома в Соклофе проверю.
Возьмите 1-10-100 транзисторов, проверьте падение напряжения на переходах - оно же ясно (потные ручонки могут помешать чистоте опыта). Закономерность будет нарушаться в 2 случаях: СВЧ экзотика и технологический фактор (инженеры с опытом выкидывают транзисторы у которых падение на эмиттерном переходе меньше). Охотно допускаю 3, неизвестный мне фактор.

solarus: ... проводимость полупроводника тем больше, чем больше степень его легирования.

А этот факт никто и не оспаривал. Я писал о падении напряжения на переходе. Там физика иная. Падение напряжения на переходе тесно связано с контактной разностью потенциалов (близко к ней), а контактная разность тем выше, чем больше примесей в полупроводнике. Это очень легко понять и представить. Берем однородный брусок полупроводника и измеряем (мысленно) между его противоположными торцами разность потенциалов. Ясно, что будет вечный ноль! Теперь подсыпаем ему в торцы горстями примеси (слева доноры, а справа акцепторы) и измеряем. Оказывается, после таких процедур левый торец приобрел положительный потенциал, а правый - отрицательный. И чем больше примесей, тем выше разность потенциалов. Но есть предел, определенный шириной запрещенной зоны полупроводника. У Ge - 0,72 эВ, у Si - 1,2 эВ, у GaAs - 1,41 эВ. За высокую точность не ручаюсь, пишу по памяти. При 0 К падение напряжения на переходе точно равнялось бы ширине запрященной зоны, выраженной в вольтах. С ростом температуры потенциальный барьер на переходе падает и стремиться к нулю. Переход выраждается в обычный электропроводящий материал с линейной ВАХ.
------------------------------
solarus! Я, ведь, сегодня в 14:11 вышел из галлюцинаций и подтвердил вашу правоту. Посмотрите мое признание