Закрыть симистор

DWD: Если на затворах плюс по отношению к истокам, то ключ открыт, если наоборот - закрыт. Не зависимо от полярности и амплитуды сетевого напряжения.

Всётаки чем больше тем сильнее я уверен, диодам блокировачным в IRF просто не поздоровиться.... Хотя конечно можно поставить внешние.

Diko: Вообщем-то да, но это надо на каждый ключ по мосту городить, а их порядка 40

Diko: Т.к. токи довольно большие порядка 2-5 А. И всё это вытекает в габариты устройства
И какие габариты???
Даже на лучших тиристорах (падение на открытом ключе 1в) при токе 5а=40*5=200вт.
На самом деле, боюсь реально 300-400 отводить, только от ключей прийдется.
Кстати, если делать на 2*IRF740, результат будет много хуже (Rds=0.5)
P=40*5*5(0.5+0.5)=1000вт

Diko: Всётаки чем больше тем сильнее я уверен, диодам блокировачным в IRF просто не поздоровиться.... Хотя конечно можно поставить внешние.
Поздоровиться
Блокировочные диоды(паразитные переходы, специально их туду не ставят ) могут пропускать точно такой-же ток, что и сам транзистор. Вот с быстродействием у них чуть хуже(но на 50Гц это не критично) да и падение напряжение на них обычно больше, чем на открытом транзисторе(но на внешних диодах такое-же будет, если они не Шотки).

vnv: P=40*5*5(0.5+0.5)=1000вт
Неправильно, правильно так:P=40*5А*5A*0.5Oм+40*5А*1В=700Вт,
где 1В — падение на паразитном диоде транзистора при 5А(взял типичное, реальное надо посмотреть в даташите).
И это в худшем слачае, в лучшем будет меньше.
К тому же можно взять транзистор и с меншим сопротивлением в открытом состоянии.

Заглянул в даташит
Вот что там увидел:
Rds типичное = 0.42 Ом
Udiod (при 25 градусах и 5А) = 0,82В
Итого:
P=40*5А*5A*0,42Oм+40*5А*0,82В=584Вт.
Тоже не фонтан.
При нагреве выделяемая мощность уменьшается. Так, например, падение на диоде при 125 градусах и токе 5А уже не 0,82В, а 0.7В, а сопротивление 0.42*0.75=0.315Ом.
Итого, для 125 градусов(температуры кристалла):
P=40*5А*5A*0,315Oм+40*5А*0,7В=455Вт.

Арс: сопротивление 0.42*0.75=0.315Ом.
- У полевых транзисторов сопротивление при нагреве увеличивается, а не уменьшается.

caddr: У полевых транзисторов сопротивление при нагреве увеличивается, а не уменьшается.
график в даташите свидетельствует об обратном или я его неправильно понял, скорее всего...

Сейчас посмотрел еще раз на тот график, там вертикальная ось неразборчиво подписана, не совсем понятно, что за напряжение.

Вот этот график:

Это нормированная зависимость напряжения отсечки (затвор-исток) от температуры;
Vgs(th) рашифровывается как Vgate-source(threshold)

А сопротивление канала при 125С увеличивается раза в 2 примерно.

caddr: А сопротивление канала при 125С увеличивается раза в 2 примерно.
Тогда, с учетом вышесказанного, для 125 градусов:
P=40*5А*5A*0,84Oм+40*5А*0,7В=980Вт.

Где бы достать точный график зависимости сопротивления от температуры? А то 2 раз, как-то много, как по мне....

Зато благодаря отрицательному температурному коэффициенту полевики можно параллелить
Может, включить две такие цепочки в параллель? Или больше...

ЗЫ. Арс, скачайте даташит ка какой-нибудь другой полевик, может там будет график?