Свежие обсуждения
Удачный опыт

Некоторые мысли по доработке БП ATX.

1 15 67

vnv: А вот те, 2 цилиндрических вместе, скорее всего FR305

На них написано FR302. Да и ставят, как правило, именно 302, а не 305. У 305-х напряжение 600В, и он менее шустрый (250нс вместо 150нс для 302-го), по этому, нет смысла их ставить в выпрямитель +12В.

 

Лучше с радиатора убрать, он от него больше греется чем охлаждается (если Шоттки), обычному не так критично.

 

ВиНи: Постарайтесь четче сформулировать свой тезис.

Виноват... Исправляюсь.

Было:
"Уменьшение переходных процессов с биполярными транзисторами при увеличении тока нагрузки связано с увеличением тока базы - чем он больше, тем быстрее рассасываются неосновные носители в базе, что и приводит к уменьшению времени всех переходных процессов.

Должно быть:
"Уменьшение переходных процессов с биполярными транзисторами при увеличении тока нагрузки связано с увеличением тока базы - чем он больше, тем быстрее рассасываются неосновные носители в базе, что и приводит к уменьшению времени выключения.

 

vnv: Однако в книге "блоки Питания для системных модулей типа IBM PC-XT/AT", авторов Головко и Любицкого, а также иностранного автора..., с которого , указанные выше передрали большую часть, УТВЕРЖДАЕТСЯ что это двухтактный прямоход

Ну, если "передрали", то возможна ситуация, о которой говорят: "перевели с точностью до наоборот..."

Вообще, мне лично не нравятся вставки иностранных названий в описание импортных схем - типа: "схема обычного чоппера", "бустерная схема", "трансформатор для фли-бак... и т.д.

Я понимаю, что схема импортная, но принципы работы всех схем достаточно хорошо описаны и в отечественной литературе. Я ещё ни разу не видел схемы, которая не была бы классифицирована и описана в отечественной литературе. И не просто в отечественной, а периода СССР...

Другое дело, что английский более лаконичен, и позволяет одним словом заменить предложение, но заменять принципы...

vnv: ...полумостовой инвертор, за который часто принимают, данную схему, дает на выходе напряжение=напряжению выходной обмоткм минус падение в фильтрах. В комповых БП, напряжение в 2 раза выше.

Тут я ничего не понял... Как сказал бы ВиНи: "Постарайтесь четче сформулировать свой тезис"...

И вообще, что значит"...полумостовой инвертор, за который часто принимают, данную схему..."?
Разве схема инвертора в ИБП компьютера не является полумостовым инвертором?

 

vnv: Чтобы получить 0,2- 0,3мкс IRF740, нужно... 0,5а.
Может у ВАС буферные 561ЛН2, могут выдать такой ток, у меня не получается...

В теме "Нештатное использование электронных компонентов" ( http://pro-radio.ru/ideas/1433/ ) я "делился опытом издевательства" над этой логикой. Сейчас у меня инет еле ходит, по этому, пока, не смогу отыскать.

В частности 564ЛН2 (все 6 элементов параллельно) пропускает через себя 0,5А (скважность 2) только сильно греется, а при токе 0,2А еле тёплая даже при постоянном токе. При этом падение напряжения на мс 1В, что соответствует рассеиваемой мощности 0,2А*1В=0,2Вт.
Для полевика главное - обеспечить требуемый импульсный ток, средний же оказывается на уровне миллиампер.
Логика в состоянии это обеспечить.

К тому же, я "знаком" с формулой I=Q/t, из которой следует, что для получения времени переключения t(ns), для транзистора с зарядом затвора Q(nc), нужен импульсный ток затвора I(A).
Если у IRF740 заряд затвора 64nc, то при токе 0,5А, время переключения будет 128ns=0,128мкс.
Для получения времени 0,2-0,3мкс достаточно тока 0,32-0,213А соответсвенно.

Единственно, что я не могу, так это получить время преключения этого полевика 0,1мкс и менее...

Кстати, я сам учусь... сдесь...

 

Многие считают импульсный БП, построен на полумостовом инверторе-что в принципе не верно.

Давай, если интересно , попробуем разобраться:

Инвертор-преобразователь постоянного тока в переменный (любой) дает на выходе, напряжение произвольной частоты и формы и этим напряжением питается нагрузка.
Конвертор-преобразователь постоянного тока в одно или несколько напряжений постоянного тока.
Э.М. Ромаш "Источники вторичного ЭлектропитанияРадиолектронной аппаратуры" из. Радио и связь 1981г.
Каюсь, особо перд НУМ-ЛУКом, украдена из библитотеки в 81г., по "договоренности", вместо нее отдано 3 книги, сходной тематики, на сумму в 5 раз больше стоимости. До 91г. моя настольная книга.

По прямоходу и обратноходу, спорить не буду.
Как работает комповый БП, Есть полумост с ШИМом, после диодов, индуктивность.
Где у нас КЛЮЧИ, не важно. Прямоход (если ВАМ угодно с удвоенной частотой коммутации), дает нарастаюший ток индуктивности, пока один из ключей открыт, когда оба закрыты-ток спадает.
ШИМом регулируется напряжение на нагрузки, за счет накопленной во время открытия ЛЮБОГО ключа энергии. И отдаче ее, во время паузы. Классический прямоход.
Напомню на выходе 12в обмотки на самом деле---25-27в амплитуда напряжения. Если индуктивность чисто сглаживающий фильтр---то СЛИШКОМ МНОГО на нем падает напряжения.

Ну и последний довод. Инвертору изменение фильтра LC на CLC, помешать не может.
Коэф.пульсайий уменьшится значительно.
Поставьте на 12в, сразу после диода керамику, 4мкф*63в, она не дорогая, токи выдержит не беспоккойтись.
НО, вы превратите БП, действительно в инвертор с выпрямителем, и получите на выходе 20-25в, не забудьте, кондеры эл-ты, там обычно на 16в, редко на 25. И после такой модернизации, никаккая ШИМ, не сможет выдавать стабильные 12в. Вот

"Попутно.
В однотактном прямоходе дроссель необходим по той же причине, как уже говорилось. В однотактном обратноходе дроссель не нужен, так как его роль выполняют обмотки самого трансформатора."
Неприятная ошибка-в обратноходе нет трансформатора, там многообмоточный дроссель. Опять-же, он настолько похож на транс, что многие и считают его трансом.
Напряжение на выходе, не зависит от коэф.трансформации и определяется совсем другими параметрами.

 

DWD: Было:
"Уменьшение переходных процессов с биполярными транзисторами при увеличении тока нагрузки связано с увеличением тока базы - чем он больше, тем быстрее рассасываются неосновные носители в базе, что и приводит к уменьшению времени всех переходных процессов.
Должно быть:
"Уменьшение переходных процессов с биполярными транзисторами при увеличении тока нагрузки связано с увеличением тока базы - чем он больше, тем быстрее рассасываются неосновные носители в базе, что и приводит к уменьшению времени выключения.

Опять не то! Попробую сам объяснить, не прибегая к высшим материям.

Время переключения БП-транзистора можно оценивать, упрощенно, временем перезаряда (заряд-разряд) емкостей его p-n-переходов. Известно, что время перезаряда емкости зависит от величины перезаряжающего тока. Оно тем меньше, чем больше ток перезаряда.

Казалось бы, в этом вопросе все понятно. Но, при анализе ключа на БП-транзисторе надо иметь в виду и некоторые тонкости: емкости его переходов нелинейны, т.е. их величины сильно зависят от режима работы транзистора. Наименьшая величина емкостей эмиттерного и коллекторного переходов соответствует режиму отсечки, т.е запертому состоянию электронного ключа. Максимальная емкость переходов наблюдается в режиме насыщения - открытое состояние ключа. Разница в значениях емкостей для отмеченных режимов может превышать два порядка величин. Столь большое различие обусловлено не столько изменением ширины p-n-переходов (как в варикапе), сколько накоплением неосновных неравновесных носителей в областях базы и коллектора в режием насыщения.

Переход ключа из закрытого состояния в открытое обязательно осуществляется пропусканием через вывод базы отпирающего (положительного) тока и, обычно, происходит заметно быстрее, т.к. требуется перезарядить исходно небольшие величины емкостей эмиттерного и коллекторного переходов.

Для перехода ключа из открытого состояния в закрытое достаточно просто закоротить эмиттерный переход (задать напряжение между базой и эмиттером равным нулю), чтобы обеспечить перезаряд коллекторной и эмиттерной емкостей. Используя для этого случая примитивную модель транзистора в виде двух конденсаторов (Скб и Сэб) можно было бы ожидать, что емкости перезарядятся мгновенно. Но в реальном транзисторе последовательно с указанными емкостями включены и сопротивления пассивных областей базы и коллектора, которые и ограничивают величину токов "самоперезаряда", а значит, и минимальное время переключения при нулевом напряжении на базе.

В силовых ключах на БП-транзисторах ситуация с временем выключения осложняется тем, что для уменьшения тепловых потерь стараются сделать напряжения насыщения минимально возможным путем увеличения положительного тока базы. Но чем больше положительный (открывающий) ток базы, тем больше неравновесных носителей накапливается в транзисторе, тем большими становятся емкости его переходов, тем больше становится время выключения (время рассасывания неравновесных носителей). Для уменьшения времени выключения силового ключа требуется подавать на эмиттерный переход запирающее напряжение (отрицательный импульс). Чем больше будет напряжение запирания на базе (больше отрицательный базовый ток), тем быстрее закроется транзистор. Ограничением выступает напряжение пробоя эмиттерного перехода, которого легко избежать защитив переход соответствующим стабилитроном.

Извините за объем, старался, чтобы было понятно.

 

Верю, так и есть.
Еще-бы, числовые параметры выключения, для недорогих (дешевле аналогичных МОСФЕТов). Интересуют 400в*(6-10)а и 1000в*(5-8)а.
Буду премного благодарен.

 

ВиНи: Переход ключа из закрытого состояния в открытое... происходит заметно быстрее...

...и, обычно, не считается проблемой. Я и не останавливался на времени открывания.

ВиНи: Чем больше будет напряжение запирания на базе (больше отрицательный базовый ток), тем быстрее закроется транзистор.

Так я, вроде бы, то же самое сказал по поводу закрывания ключа...
DWD: ...тока базы - чем он больше, тем быстрее рассасываются неосновные носители в базе, что и приводит к уменьшению времени выключения.
Я, правда, не сказал, что при этом ток должен быть запирающим (отрицательным), но, думаю, и так понятно, раз речь идёт о закрывании.

Да... Я, всё таки, не уменю лаконично выражать свои мысли...

 

Поскольку большой объем прений по импульсным источникам касается ЭПРА для ЛДС, где широко используются биполярные транзисторы с шунтированием эмиттерного перехода обычным диодом, ваша рекомендация по увеличению тока базы для уменьшения времени выключения может привести у некоторых участников форума к обратному результату.