|
|
Величина сигнала на выходе (его двойной размах) не может быть больше напряжения источника питания. Реально это всегда немного меньше. Если источник питания 5 вольт то реально двойной размах примерно до 4,5в. Если мерять на выходе вольтметром (действующее значение) сигнал, то будет не более 1,6 в. Если усиление очень большое, а выходной сигнал не может принять такое значение, то он будет ограничен (искажен). Пример: Если коэфф. усиления тысяча, то подача на вход напряжения более чем в 1,6 милливольта уже вызывает перегрузку и искажения. Поэтому "просто поиграться" одной собранной схемой на все случаи не получится. Кроме того, современная зарядка от телефона достаточно скверный источник питания для малосигнального усилителя, поскольку он предназначен только для зарядки аккумулятора. |
|
|
|
Для телефона достаточен будет выход самой микросхемы, без умощнения ее транзистором. В корпусе два ОУ, поэтому, если это не стерео усилитель, можно использовать мостовое включение ОУ.
Если микросхему все равно покупать, то купите уже специализированный усилитель мощности, предназначенный для работы с имеющимися у Вас напряжениями и нагрузками.
Например, LM386. |
|
|
|
странная схемка. за каким то стоит высоковольтный транзистор, но питание на ОУ подается то же что и на вых. каскад. ИТУН, Ку напрямую зависит от сопротивления нагрузки (телефона), и при 33 омах этой самой нагрузки будет равен 1 т.е. должен работать на высокоомную нагрузку. Зачем там 1 Мом - непонятно. Было бы понятно если бы его левый вывод через резистор заземлить - усиление задать. А так ограничивая входной ток его задавать? некомильфо... вообщем ИМХО нечто странное на предмет "я его слепила из того что было"(с)  |
|
|
|
1. Коэффициент усиления равен отношению сопротивлений в коллекторе и эмиттере Т1 (Ku=Rд/R6). т.к. входное напряжение равно напряжению на эмиттере Т1 (100%-ная ООС по току). Rд - сопротивление динамика EP1. К примеру, при Rд=200 Ом получится Ku=200/33=6. 2. "+"С1 должен подключаться к ОУ (как уже отметил AN1440). 3. Сопротивление R4 выбирается равным R5+VR1''. Где VR1'' - эквивалентное сопротивление подстроечника, относительно его ползунка и лежит в пределах от 0 (ползунок в одном из крайних положений) до VR1/4 (максимальное значение при ползунке по середине). Т.е. должно быть R4=100...125кОм. Делается это для того, чтобы падения напряжения, определяемые токами утечки по обоим входам ОУ (они принимаются одинаковыми), были равны. Это обеспечивает минимальный дрейф нуля в диапазоне температур. Такой прием используется для ОУ с биполярными транзисторами на входе, если на входе полевики, то входные токи отсутсвуют и нужда в такой балансировке сопротивлений по входам отпадает. 4. Частота среза по НЧ равна Fнч=1/(2*Pi*C1*R5)=1/(2*3,14* 10*10^-6 * 100*10^3)=0,16Гц. Для наушника от телефона куда девать Fнч=80Гц, поэтому емкость С1 можно смело уменьшить в 500 раз (до 0,02мкФ). 5. Если для Т1 взять, к примеру, КТ3102Гили Е (средняя величина коэфф. усиления по току (h21э) ок. 600), то ОУ вместе с R4 можно исключитьь. Входное сопротивление усилителя будет около Rус=R6*h21э=33*600=20кОм. С учетом этого емкость С1 надо будет взять ок. 0,1мкФ.
Для получения максимальной амплитуды на нагрузке ток покоя устанавливается равным Iд=Uпит/[2*(Rд+R6)]. К примеру, при Rд=200 Ом и Uпит=5В должно быть Iд=5/[2*(200+33)]=11мА. Падение напряжения на динамике Uд=Iд*Rд=11*200=2,2В. Удвоенная максимальная амплитуда напряжения на динамике будет немного меньше - ок 2,0В, при этом макимальное эффективное напряжение Uэф=1,0/1,41=0,7В. Максимальная выходная мощность при Rд=200 Ом будет Рд=Uэф^2/Rд=0,7^2/200=2,5мВт.
Напряжение покоя на коллекторе Т1 равно Uпит-Uд=5-2,2=2,7В.
Постоянное напряжение на базе Uб=Iд*R6 + Uб-э=11*0,033 + 0,6=1 В. Uб-э - падение напряжения Б-Э на открытом транзисторе - для кремниевых транзтстороа обычно в пределах 0,5...0,7В.
Ток базы Iб=Iд/h21э=11/600=0,018мА.
Если ползунок VR1 справа, то сопротивление R5=(Uпит-Uб)/Iб=(5-1)/0,018 = 222кОм. Поэтому вполне можно оставить указанный в схеме номинал - 100кОм. При этом можно пренебречь его влиянием на входное сопротивление усилителя (20кОм).
Если такое входного сопротивления маловато, то можно воспользоваться одим из вариантов схем составного транзистора (в т.ч. с полевиком на входе).
|
|
