Цоколёвка транзистора КТ685 ?

TOV: Теоретически транзистор симметричен, на практике есть разница ...

Биполярный транзистор несимметричен не только на практике, но и в теории. В случае полной симметрии (одинаковые концентрации примесей в эмиттере, базе и коллекторе, и одинаковая геометрия эмиттерной и базовой областей) транзистор обладал бы коэффициентом передачи эмиттерного тока не более 0,5 и коэффициентом усиления базового тока не более 1. Знаменитый Л.Н.Озеров возгласил бы по этому случаю: "ТАКОЙ транзистор нам не нужен!" С целью достижения максимальных усилительных свойств поверхность коллекторного перехода делается настолько большой, что охватывет базовую область (в которую включена область эмиттера), а в эмиттерной области создается очень высокая концентрация примесей. Чтобы повысить рабочее (коллекторное) напряжение, концентрация примесей в коллекторе берется небольшой. За счет этого получается широкий коллекторный переход, и как следствие, большое напряжение пробоя. Эмиттерный переход имеет малую толщину за счет большой концентрации примесей в эмиттере, и как следствие, малое напряжение пробоя.
Из сказанного следует, что смена выводов Э и К местами при высоком рабочем напряжении в схеме (несколько десятков вольт) скорее всего приведет к нерабочему режиму каскада из-за вхождения эмиттерного перехода в режим пробоя.
Если рабочее напряжение невелико, и эмиттерный переход не находится в режиме пробоя, то схема, принципиально, работоспособна, но, коэффициент усиления базового тока в таком включении транзистора (инверсное включение) значительно ниже, и рассматриваемый каскад, возможно, не сможет выполнять возложенные на него функции.
Иногда инверсное включение используют специально в электрометрических схемах для получения малого нулевого тока коллектора с целью уменьшения теплового дрейфа. Но это специальные случаи.

Проверка биполярного транзистора и правильное нахождение его выводов только с помощью омметра вполне возможна. Здесь наверно не имеет смысла писать о том, как найти базу и определить структуру транзистора (p-n-p или n-p-n). Это делается не легко, а очень легко. Трудности вызывает поиск выводов эмиттера и коллектора. Возможны три варианта: по величине обратного тока переходов, по величине напряжения пробоя переходов, по усилительным свойствам транзистора.
1. Исходя из того, что объемы эмиттерного и коллекторного переходов сильно различаются (эмиттерный переход узкий с малой поверхностью, коллекторный - широкий с большой поверхностью), их можно опознать по величине обратного тока. Обратный ток p-n-перехода определяется главным образом его объемом, в котором происходит тепловая генерация электронно-дырочных пар. Чем больше объем перехода, тем больше и обратный ток. У коллекторного перехода объем максимален, поэтому больше и обратный ток. Недостаток этого метода заключается в необходимости измерения очень малых токов, т.е. в использовании высокочувствительного измерителя тока.
2. Напряжение пробоя определяется шириной перехода. Чем тоньше переход, тем меньше напряжение пробоя. У эмиттерного перехода толщина много меньше, чем у коллекторного. Если последовательно с омметром включить дополнительную батарейку на 3...9 В, можно в большинстве случаев распознать эмиттерный переход и, соответственно, вывод эмиттера.
3. Усилительные свойства транзистора максимальны в активном режиме, когда эмиттерный переход находится в прямом смещении, а коллекторный в обратном. В инверсном режиме (эмиттерный переход в обратном смещении, а коллекторный - в прямом) переходы меняются местами и усилительные свойства транзистора значительно хуже. Эти режимы легко различить с помощью омметра. Сначала определяется вывод базы и структура транзистора. Для определенности будем считать, что имеем дело с n-p-n-транзистором. Для него активный режим в схеме с ОЭ будет, когда на базе и коллекторе относительно эмиттера присутствует плюс источника. Если в этом режиме измерять ток коллектора (сопротивление коллектор-эмиттер), то даже создание незначительного тока в базе приведет к заметному увеличению тока коллектора. Опыт делается следующим образом. Выводы омметра подсоединяются произвольно к выводам К и Э транзистора. Устанавливается предел измерения максимального сопротивления. Вывод омметра с плюсовой полярностью (полярность противоположна полярности измеряемого постоянного напряжения) соединяется через резистор в несколько десятков кОм с выводом базы (я для этого использую собственный палец, смоченный сами знаете чем). По шкале омметра замечается прирост коллекторного тока. Затем эта же процедура повторяется после замены выводов К и Э транзистора. Тот случай, когда прирост тока был больше, соответствует активному режиму и для него выводом эмиттера является вывод, который был соединен с отрицательным полюсом омметра. Этот способ для меня был безотказным во всех случаях.

Виктор Николаевич, а Вы не пробовали опубликовать ЭТО в периодических изданиях?

Дааааааа

... а Вы не пробовали опубликовать ЭТО ...

ЭТО все уже опубликовано порознь, может быть не в такой компоновке, и не такими словами. Я просто обобщил к случаю на этих страницах. Студентам на лабораторных занятиях я давал возможность получить зачет за определение с помощью омметра структуры и выводов биполярного транзистора. Около одного процента могли определить стуктуру и вывод базы. Точно найти выводы коллектора и эмиттера - ни один.

Я тоже использую собственный палец, иногда и смачивать (сами знаете чем) не приходится (если Ку тр-ра большой). Но здесь (постеснялся признаться и) просто указал что обратное включение влияет на Ку (естественно не в лучшую сторону), а уж как кто будет его определять (например тестором с измерением h21э) это его дело

Уважаемый ВиНи, а можно утверждать, что коллектор всегда на металлическом корпусе прибора? Ну, уж если чисто механически: коллекторный переход больше - больше выделяемая мощность - необходимость отвода тепла.

Впрочем, зачастую коллекторы даже мощных приборов делают изолированными от фланца крепления. Тогда вопрос такой: правда ли, что если один из трех выводов звонится с корпусом, то это коллектор?

Mastak: Уважаемый ВиНи, а можно утверждать, что коллектор всегда на металлическом корпусе прибора?

У старых германиевых в металлическом корпусе, как известно наверное всем, с корпусом соединен вывод базы.

Достаю китайский цифротестер. Беру первый попавшийся BC547 и втыкаю его в панельку для измерения h21э правильным образом. Показывает 300...400. Втыкаю ракообразно относительно точно известного вывода базы - показывает около 1. А насчёт коллектора на корпусе - Mastak, вспомните МП38...МП42.Да и у многих более современных ВЧ-транзисторов тоже...

... а можно утверждать, что коллектор всегда на металлическом корпусе прибора?

Конечно нельзя. У старых германиевых с корпусом соединялись и коллектор (П210, П605 и др.) и база (П10, П13, МП40 и др.). В мощных транзисторах связь коллектора с корпусом объясняется необходимостью эффективного отвода тепла от области кристалла, где происходит его наибольшее вделение (коллекторный p-n-переход). А в маломощных сплавных транзисторах типа МП40 основная часть площади кристаллической пластинки занята базой (исходный кристалл ей и являлся, поэтому, исторически, так и назван вывод транзистора). Области эмиттера и коллектора создавались вплавлением на противоположные стороны базы тонких проволочек с незначительной добавкой индия. Поскольку технологически проще паять кристалл непосредственно на корпусе, у таких транзисторов на нем оказался вывод базы.

TOV 100% прав. Падение напряжения на коллекторном переходе, в силу его большей площади, меньше, чем на эмиттерном. Это явление заметно даже на хорошем стрелочном омметре, а наиболее информативно на цифровике, измеряющем сопротивление по падению фиксированного тока (напр. В7-22, В7-38....С1-112).Явление применяется на практике со времени появления кремниевых транзисторов (по утверждению знакомых ремонтников соотв. возраста).